[发明专利]OGS触摸屏及其制造方法、OGS触摸装置

权利要求书

1.一种OGS触摸屏，其特征在于，包括:

基板；

所述基板的显示区上形成有第一多晶硅-氧化铟锡p-ITO阵列，所述第一p-ITO阵列包括多个沿所述基板长度方向排布的p-ITO触摸电极，所述第一p-ITO阵列中任意两个相邻的p-ITO触摸电极的间距为第一距离；

所述第一p-ITO阵列上形成有第二p-ITO阵列，所述第二p-ITO阵列包括多个沿所述基板长度方向排布的p-ITO触摸电极，所述第二p-ITO阵列中任意两个相邻的p-ITO触摸电极的间距为第二距离，所述第一距离小于所述第二距离。

2.根据权利要求1所述的OGS触摸屏，其特征在于，

所述第一p-ITO阵列是采用包括王水的刻蚀液刻蚀形成的p-ITO阵列；所述第二p-ITO阵列是采用包括草酸的刻蚀液刻蚀形成非晶硅-氧化铟锡a-ITO阵列后，对所述a-ITO阵列通过退火工艺转化得到的p-ITO阵列。

3.根据权利要求2所述的OGS触摸屏，其特征在于，

所述基板的周边区形成有黑矩阵；

形成有所述黑矩阵的基板上形成有金属层；

形成有所述金属层的基板上形成有上层覆盖OC层；

所述第一p-ITO阵列位于所述OC层上。

4.根据权利要求1所述的OGS触摸屏，其特征在于，

所述第一p-ITO阵列包括多个沿所述基板长度方向等间距排布的p-ITO触摸电极；

所述第二p-ITO阵列包括多个沿所述基板长度方向等间距排布的p-ITO触摸电极。

5.根据权利要求1至4任一权利要求所述的OGS触摸屏，其特征在于，

第一p-ITO触摸电极与第二p-ITO触摸电极的图形相同且所述第二p-ITO触摸电极在所述第一p-ITO触摸电极上的投影的中心与所述第一p-ITO触摸电极的中心重合，所述第一p-ITO触摸电极为第一p-ITO阵列中的p-ITO触摸电极，所述第二p-ITO触摸电极为第二p-ITO阵列中的p-ITO触摸电极，且所述第二p-ITO触摸电极位于所述第一p-ITO触摸电极上。

6.一种OGS触摸屏的制造方法，其特征在于，包括：

在基板的显示区形成第一p-ITO阵列，在形成有所述第一p-ITO阵列的基板上形成第二p-ITO阵列；

其中，所述第一p-ITO阵列包括多个沿所述基板长度方向排布的p-ITO触摸电极，所述第一p-ITO阵列中任意两个相邻的p-ITO触摸电极的间距为第一距离，所述第二p-ITO阵列包括多个沿所述基板长度方向排布的p-ITO触摸电极，所述第二p-ITO阵列中任意两个相邻的p-ITO触摸电极的间距为第二距离，所述第一距离小于所述第二距离。

7.根据权利要求6所述的方法，其特征在于，

所述第一p-ITO阵列包括多个沿所述基板长度方向等间距排布的p-ITO触摸电极；

所述第二p-ITO阵列包括多个沿所述基板长度方向等间距排布的p-ITO触摸电极。

8.根据权利要求7所述的方法，其特征在于，在基板的显示区形成第一p-ITO阵列之前，所述方法还包括：

在所述基板的周边区形成黑矩阵；

在形成有所述黑矩阵的基板上形成金属层；

在形成有所述金属层的基板上形成OC层；

所述在基板的显示区形成第一p-ITO阵列，包括：

在形成有所述OC层的基板的显示区形成所述第一p-ITO阵列。

9.根据权利要求8权利要求所述的方法，其特征在于，所述在基板的显示区形成第一p-ITO阵列，在形成有所述第一p-ITO阵列的基板上形成第二p-ITO阵列，包括：

在形成有所述OC层的基板上形成p-ITO层；

在形成有所述p-ITO层的基板上形成a-ITO层；

对形成的所述a-ITO层通过第一次构图工艺形成a-ITO阵列，所述a-ITO阵列包括多个沿所述基板长度方向排布的a-ITO触摸电极，所述a-ITO阵列中任意两个相邻的a-ITO触摸电极的间距为第二距离；

对形成的所述p-ITO层通过第二次构图工艺形成所述第一p-ITO阵列；

对所述a-ITO阵列进行高温退火工艺，使所述a-ITO阵列转化为第二p-ITO阵列。