[发明专利]OGS触摸屏及其制造方法、OGS触摸装置

说明书

技术领域

本发明涉及触摸屏技术领域，特别涉及一种OGS触摸屏及其制造方法、OGS触摸装置。

背景技术

触摸屏作为一种智能化的人机交互界面产品，已经在生产和生活中得到了广泛的应用。OGS(英文：One Glass Solution；中文：一体化触控)触摸屏是在玻璃基板上直接形成ITO(英文：Indium Tin Oxide；中文：氧化铟锡)触摸电极及传感器的技术下制作的电子产品保护屏，该玻璃基板既是保护玻璃，也是触摸传感器。但是由于OGS触摸屏上的ITO触摸电极的厚度较大，使得OGS触摸屏上有ITO触摸电极的部分与没有ITO触摸电极的部分差异较大，在该OGS触摸屏上出现ITO触摸电极的图案，影响产品的外观。

现有技术中，采用IM(英文：Index Matching；中文：折射率匹配)层与ITO触摸电极进行叠加的方式消除OGS触摸屏上有ITO触摸电极的部分与没有ITO触摸电极的部分的差异。具体的，在玻璃基板上形成IM层；在形成有IM层的玻璃基板上形成黑矩阵；在形成有黑矩阵的玻璃基板上形成金属层；在形成有金属层的玻璃基板上形成OC(英文：Over Cover；中文：上层覆盖)层；在形成有OC层的玻璃基板上形成ITO触摸电极，并通过光学模拟软件调整IM层，使得IM层与ITO层叠加后的反射率与IM层的反射率相一致，消除了该OGS触摸屏上的ITO触摸电极的图案。

由于现有技术中，通过在玻璃基板上镀制了IM层，消除了OGS触摸屏上的ITO触摸电极的图案，但IM层的镀制使得OGS触摸屏的制造成本较高。

发明内容

为了解决OGS触摸屏的制造成本较高的问题，本发明提供了一种OGS触摸屏及其制造方法、OGS触摸装置。所述技术方案如下：

第一方面，提供了一种OGS触摸屏，包括：

基板；

所述基板的显示区上形成有第一多晶硅-氧化铟锡p-ITO阵列，所述第一p-ITO阵列包括多个沿所述基板长度方向排布的p-ITO触摸电极，所述第一p-ITO阵列中任意两个相邻的p-ITO触摸电极的间距为第一距离；

所述第一p-ITO阵列上形成有第二p-ITO阵列，所述第二p-ITO阵列包括多个沿所述基板长度方向排布的p-ITO触摸电极，所述第二p-ITO阵列中任意两个相邻的p-ITO触摸电极的间距为第二距离，所述第一距离小于所述第二距离。

可选的，所述第一p-ITO阵列是采用包括王水的刻蚀液刻蚀形成的p-ITO阵列；所述第二p-ITO阵列是采用包括草酸的刻蚀液刻蚀形成非晶硅-氧化铟锡a-ITO阵列后，对所述a-ITO阵列通过退火工艺转化得到的p-ITO阵列。

可选的，所述基板的周边区形成有黑矩阵；

形成有所述黑矩阵的基板上形成有金属层；

形成有所述金属层的基板上形成有上层覆盖OC层；

所述第一p-ITO阵列位于所述OC层上。

可选的，所述第一p-ITO阵列包括多个沿所述基板长度方向等间距排布的p-ITO触摸电极；所述第二p-ITO阵列包括多个沿所述基板长度方向等间距排布的p-ITO触摸电极。

可选的，第一p-ITO触摸电极与第二p-ITO触摸电极的图形相同且所述第二p-ITO触摸电极在所述第一p-ITO触摸电极上的投影的中心与所述第一p-ITO触摸电极的中心重合，所述第一p-ITO触摸电极为第一p-ITO阵列中的p-ITO触摸电极，所述第二p-ITO触摸电极为第二p-ITO阵列中的p-ITO触摸电极，且所述第二p-ITO触摸电极位于所述第一p-ITO触摸电极上。

第二方面，提供了一种OGS触摸屏的制造方法，包括：

在基板的显示区形成第一p-ITO阵列，在形成有所述第一p-ITO阵列的基板上形成第二p-ITO阵列；

其中，所述第一p-ITO阵列包括多个沿所述基板长度方向排布的p-ITO触摸电极，所述第一p-ITO阵列中任意两个相邻的p-ITO触摸电极的间距为第一距离，所述第二p-ITO阵列包括多个沿所述基板长度方向排布的p-ITO触摸电极，所述第二p-ITO阵列中任意两个相邻的p-ITO触摸电极的间距为第二距离，所述第一距离小于所述第二距离。

可选的，所述第一p-ITO阵列包括多个沿所述基板长度方向等间距排布的p-ITO触摸电极；所述第二p-ITO阵列包括多个沿所述基板长度方向等间距排布的p-ITO触摸电极。

可选的，在基板的显示区形成第一p-ITO阵列之前，所述方法还包括：