[发明专利]缺陷判断装置和缺陷判断方法在审
申请号: | 201510072769.9 | 申请日: | 2015-02-11 |
公开(公告)号: | CN104952766A | 公开(公告)日: | 2015-09-30 |
发明(设计)人: | 吉冈智良;今井克树 | 申请(专利权)人: | 夏普株式会社 |
主分类号: | H01L21/67 | 分类号: | H01L21/67;H01L21/66;G01N21/88 |
代理公司: | 北京市隆安律师事务所 11323 | 代理人: | 权鲜枝 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 日本;JP |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 缺陷 判断 装置 方法 | ||
1.一种缺陷判断装置,能应用于生产线,上述生产线用能分别执行制造工序的1个以上的制造装置对工件执行1个以上的上述制造工序,并且用对上述工件进行缺陷检测的1个以上的检查装置来执行上述制造工序之后的检查工序,上述缺陷判断装置的特征在于,具备:
缺陷信息取得单元,其针对利用特定制造工序中的特定制造装置进行了处理的多个上述工件,取得包括在上述检查工序中检测出的各工件的缺陷的位置信息的缺陷信息;
检查区域分割单元,其将上述工件中的检查区域分割为规定的多个分割区域;
缺陷区域设定单元,其将各工件的各分割区域中的包含阈值以上的数量的缺陷的上述分割区域设定为缺陷区域;以及
第1判断单元,其在由上述特定制造工序中的上述特定制造装置连续处理后的A个上述工件的组中进行缺陷区域的比较,在进行了比较的A个工件中将B个以上的上述工件中包含缺陷区域的分割区域的位置判断为上述比较的组的特定缺陷的存在位置,其中2≤B≤A。
2.根据权利要求1所述的缺陷判断装置,其特征在于,
上述第1判断单元,
按以下方式设定多个上述比较的组:使得各比较的组中所包含的上述工件按上述特定制造工序中的上述特定制造装置的处理顺序在各组间按一定数量错开,
对多个上述比较的组分别进行上述特定缺陷的存在位置的判断。
3.根据权利要求2所述的缺陷判断装置,其特征在于,
具备第2判断单元,在按上述特定制造工序中的上述特定制造装置的处理顺序观察每个上述比较的组的特定缺陷时,上述第2判断单元判断上述特定缺陷是否在相同的位置以规定的周期出现。
4.根据权利要求1至3中的任一项所述的缺陷判断装置,其特征在于,
具备第3判断单元,第3判断单元判断在上述比较的组中是否在相互处于规定的位置关系的第1位置和第2位置同时存在上述特定缺陷。
5.根据权利要求1至4中的任一项所述的缺陷判断装置,其特征在于,
A=B。
6.根据权利要求5所述的缺陷判断装置,其特征在于,
B≥3。
7.一种缺陷判断方法,能应用于如下生产线,上述生产线用能分别执行制造工序的1个以上的制造装置来对工件执行1个以上的上述制造工序,并且用对上述工件进行缺陷的检测的1个以上的检查装置来执行上述制造工序之后的检查工序,上述缺陷判断方法的特征在于,具备:
缺陷信息取得步骤,针对利用特定制造工序中的特定制造装置进行了处理的多个上述工件,取得包括在上述检查工序中检测出的各工件的缺陷的位置信息的缺陷信息;
检查区域分割步骤,将上述工件中的检查区域分割为规定的多个分割区域;
缺陷区域设定步骤,将各工件的各分割区域中的包含阈值以上的数量的缺陷的上述分割区域设定为缺陷区域;以及
第1判断步骤,在由上述特定制造工序中的上述特定制造装置连续处理后的A个上述工件的组中进行缺陷区域的比较,在进行了比较的A个工件中将B个以上的上述工件中包含缺陷区域的分割区域的位置判断为上述比较的组的特定缺陷的存在位置,其中2≤B≤A。
8.根据权利要求7所述的缺陷判断方法,其特征在于,
在上述第1判断步骤中,
按以下方式设定多个上述比较的组:使得各比较的组中所包含的上述工件按上述特定制造工序中的上述特定制造装置的处理顺序在各组间按一定数量错开,
对多个上述比较的组分别进行上述特定缺陷的存在位置的判断。
9.根据权利要求8所述的缺陷判断方法,其特征在于,
包括第2判断步骤,在按上述特定制造工序中的上述特定制造装置的处理顺序观察每个上述比较的组的特定缺陷时,通过上述第2判断步骤判断上述特定缺陷是否在相同的位置以规定的周期出现。
10.根据权利要求7至9中的任一项所述的缺陷判断方法,其特征在于,
包括第3判断步骤,上述第3判断步骤判断在上述比较的组中是否在相互处于规定的位置关系的第1位置和第2位置同时存在上述特定缺陷。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造