[发明专利]阵列基板及其断线修补方法有效

专利信息
申请号: 201510073541.1 申请日: 2015-02-12
公开(公告)号: CN104597640B 公开(公告)日: 2017-06-27
发明(设计)人: 李珊 申请(专利权)人: 深圳市华星光电技术有限公司
主分类号: G02F1/13 分类号: G02F1/13;G02F1/1362
代理公司: 深圳市德力知识产权代理事务所44265 代理人: 林才桂
地址: 518132 广东*** 国省代码: 广东;44
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摘要:
搜索关键词: 阵列 及其 断线 修补 方法
【权利要求书】:

1.一种阵列基板,其特征在于,包括:基板(1),位于所述基板(1)之上的栅极扫描线(2),位于所述栅极扫描线(2)和基板(1)之上的栅极绝缘层(4),位于所述栅极绝缘层(4)之上的源漏极数据线(5),位于所述源漏极数据线(5)与栅极绝缘层(4)之上的第一钝化层(8),位于所述第一钝化层(8)之上的有机层(9),以及位于所述有机层(9)与第一钝化层(8)之上的第二钝化层(10);

其中,所述栅极扫描线(2)与源漏极数据线(5)在基板(1)上垂直交叉排列,所述有机层(9)上对应于栅极扫描线(2)与源漏极数据线(5)的每一交叉口处形成有通孔,所述第二钝化层(10)沉积于该通孔处形成开口(11);

所述开口(11)用于当所述阵列基板上的栅极扫描线(2)或源漏极数据线(5)断线时,在栅极扫描线(2)或源漏极数据线(5)上位于断线处两端镭射熔接U字型长线(15),使得断开的栅极扫描线(2)或源漏极数据线(5)恢复连接。

2.如权利要求1所述的阵列基板,其特征在于,所述开口(11)的大小为15μm×15μm。

3.如权利要求1所述的阵列基板,其特征在于,所述有机层(9)为色阻层或者平坦层。

4.如权利要求1所述的阵列基板,其特征在于,所述第一钝化层(8)和第二钝化层(10)的材料为无机材料。

5.如权利要求1所述的阵列基板,其特征在于,所述有机层(9)的厚度大于所述第一钝化层(8)和第二钝化层(10)的厚度。

6.如权利要求1所述的阵列基板,其特征在于,所述基板(1)为玻璃基板。

7.如权利要求1所述的阵列基板,其特征在于,所述阵列基板位于开口(11)处的结构包括基板(1)、栅极扫描线(2)、栅极绝缘层(4)、源漏极数据线(5)、第一钝化层(8)、以及第二钝化层(10)。

8.一种如权利要求1所述的阵列基板的断线修补方法,其特征在于,当所述阵列基板上的栅极扫描线(2)或源漏极数据线(5)断线时,通过在栅极扫描线(2)或源漏极数据线(5)上位于断线处两端的开口(11)处镭射熔接U字型长线(15),使得断开的栅极扫描线(2)或源漏极数据线(5)恢复连接。

9.如权利要求8所述的阵列基板的断线修补方法,其特征在于,所述U字型长线(15)的材料为六羰基钨。

10.如权利要求8所述的阵列基板的断线修补方法,其特征在于,所述开口(11)的大小为15μm×15μm。

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