[发明专利]阵列基板及其断线修补方法有效

专利信息
申请号: 201510073541.1 申请日: 2015-02-12
公开(公告)号: CN104597640B 公开(公告)日: 2017-06-27
发明(设计)人: 李珊 申请(专利权)人: 深圳市华星光电技术有限公司
主分类号: G02F1/13 分类号: G02F1/13;G02F1/1362
代理公司: 深圳市德力知识产权代理事务所44265 代理人: 林才桂
地址: 518132 广东*** 国省代码: 广东;44
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摘要:
搜索关键词: 阵列 及其 断线 修补 方法
【说明书】:

技术领域

发明涉及显示技术领域,尤其涉及一种阵列基板及该阵列基板的断线修补方法。

背景技术

随着显示技术的发展,液晶显示器(Liquid Crystal Display,LCD)等平面显示装置因具有高画质、省电、机身薄及应用范围广等优点,而被广泛的应用于手机、电视、个人数字助理、数字相机、笔记本电脑、台式计算机等各种消费性电子产品,成为显示装置中的主流。

现有市场上的液晶显示装置大部分为背光型液晶显示器,其包括液晶显示面板及背光模组(backlight module)。液晶显示面板的工作原理是在两片平行的玻璃基板当中放置液晶分子,两片玻璃基板中间有许多垂直和水平的细小电线,通过通电与否来控制液晶分子改变方向,将背光模组的光线折射出来产生画面。

通常液晶显示面板由彩膜基板(CF,Color Filter)、薄膜晶体管基板(TFT,Thin Film Transistor)、夹于彩膜基板与薄膜晶体管基板之间的液晶(LC,Liquid Crystal)及密封胶框(Sealant)组成,其成型工艺一般包括:前段阵列(Array)制程(薄膜、黄光、蚀刻及剥膜)、中段成盒(Cell)制程(TFT基板与CF基板贴合)及后段模组组装制程(驱动IC与印刷电路板压合)。其中,前段Array制程主要是形成TFT基板,以便于控制液晶分子的运动;中段Cell制程主要是在TFT基板与CF基板之间添加液晶;后段模组组装制程主要是驱动IC压合与印刷电路板的整合,进而驱动液晶分子转动,显示图像。

随着液晶面板技术的不断发展,越来越多的新技术应用在薄膜晶体管阵列基板上,如平面转换(In-Plane Switching,IPS),边缘场开关技术(Fringe Field Switching,FFS),色彩滤镜矩阵(Color Filter On Array,COA)等技术。这些技术对显示基板的平坦度要求比较高,通常需要在阵列基板上沉积一层较厚的有机层如色阻层、平坦层等。在阵列基板制作过程中,由于各种因素的影响,可能导致金属导线包括扫描线和数据线存在断线的情况。为了修补此类阵列基板的断线,目前是通过断线修补机先去除有机层和透明电极层后,再用镭射熔接对断线处进行修补,断线修补耗时长,当有机层无法完全去除时,可能会影响产品的断线修补成功率。

发明内容

本发明的目的在于提供一种阵列基板,所述阵列基板表面对应栅极扫描线与源漏极数据线的上方设置数个开口,所述开口形成于有机层的通孔处,使得本发明的阵列基板在进行断线修补时,可以直接在断线处两端的开口处镭射熔接U字型长线,提高断线修补效率和修补成功率。

本发明的目的还在于提供一种阵列基板的断线修补方法,通过直接在断线处两端的开口处镭射熔接U字型长线,使得断开的栅极扫描线或源漏极数据线恢复连接,省去了镭射去除有机层的工序,提高了断线修补效率和修补成功率,同时有效地减少去除有机层时的机台镭射损耗,进而提高液晶面板产品的显示品质。

为实现上述目的,本发明提供一种阵列基板,包括:基板,位于所述基板之上的栅极扫描线,位于所述栅极扫描线和基板之上的栅极绝缘层,位于所述栅极绝缘层之上的源漏极数据线,位于所述源漏极数据线与栅极绝缘层之上的第一钝化层,位于所述第一钝化层之上的有机层,以及位于所述有机层与第一钝化层之上的第二钝化层;

其中,所述栅极扫描线与源漏极数据线在基板上垂直交叉排列,所述有机层上对应于栅极扫描线与源漏极数据线的每一交叉口处形成有通孔,所述第二钝化层沉积于该通孔处形成开口。

所述开口的大小为15μm×15μm。

所述有机层为色阻层或者平坦层。

所述第一钝化层和第二钝化层的材料为无机材料。

所述有机层的厚度大于所述第一钝化层和第二钝化层的厚度。

所述基板为玻璃基板。

所述阵列基板位于开口处的结构包括基板、栅极扫描线、栅极绝缘层、源漏极数据线、第一钝化层、以及第二钝化层。

本发明还提供一种阵列基板的断线修补方法,当所述阵列基板上的栅极扫描线或源漏极数据线断线时,通过在栅极扫描线或源漏极数据线上位于断线处两端的开口处镭射熔接U字型长线,使得断开的栅极扫描线或源漏极数据线恢复连接。

所述U字型长线的材料为六羰基钨。

所述开口的大小为15μm×15μm。

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