[发明专利]一种电子铜箔的制备方法有效
| 申请号： | 201510075169.8 | 申请日： | 2015-02-12 |
| 公开（公告）号： | CN104651885B | 公开（公告）日： | 2017-02-01 |
| 发明（设计）人： | 丁士启;陆冰沪;吴玉林;于君杰;贾金涛;王同;郑小伟;李大双;吴斌;倪升辉 | 申请（专利权）人： | 安徽铜冠铜箔有限公司;合肥铜冠国轩铜材有限公司 |
| 主分类号： | C25D1/04 | 分类号： | C25D1/04 |
| 代理公司： | 安徽汇朴律师事务所34116 | 代理人： | 胡敏 |
| 地址： | 247099 安徽省池州*** | 国省代码： | 安徽;34 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 电子 铜箔 制备 方法 | ||
1.一种电子铜箔的制备方法，其步骤包括生箔工序、第一粗化工序、第二粗化工序、第一固化工序、第二固化工序、第三固化工序、黑化工序、镀锌工序、防氧化工序、偶联剂喷涂工序和烘干工序，所述生箔工序，在温度40-50℃条件下，在电流密度为7000-8000A/m2条件下，用110-130g/L硫酸、65-80g/L二价铜离子的生箔电解液中电镀生成生箔，其特征在于：所述生箔电解液中还包括生箔添加剂，所述生箔添加剂包括300～3000ppm明胶、5～20ppm胶原蛋白、30～300ppm纤维素、50～300ppm 3-巯基-1-丙磺酸钠和10～30ppm四氢噻唑硫酮。
2.根据权利要求1所述的一种电子铜箔的制备方法，其特征在于：
第一粗化工序、将经生箔工序的铜箔在温度25-32℃、一段电流密度15-25A/dm2、二段电流密度2-6A/dm2，在180-220g/L硫酸、8-20g/L二价铜离子的粗化液中进行电镀；
第二粗化工序、将经第一粗化工序的铜箔在温度25-32℃、一段电流密度20-30A/dm2、二段电流密度2-6A/dm2条件下，在180-220g/L硫酸、8-20g/L二价铜离子的粗化液中进行电镀；
所述粗化液中包括粗化添加剂，所述粗化添加剂包括10～40ppm盐酸、10～40ppm钨酸钠、10～30ppm聚乙二醇和5～20ppm 2-巯基苯骈咪唑。
3.根据权利要求1或2所述的一种电子铜箔的制备方法，其特征在于：
第一固化工序：将第二粗化工序电镀后的在温度35-45℃、一段电流密度19-35A/dm2、二段电流密度19-35A/dm2，在硫酸浓度为90-120g/L,二价铜离子浓度为45-60g/L的固化液中电镀；
第二固化工序：将第一固化工序电镀后的铜箔在温度35-45℃、一段电流密度19-35A/dm2、二段电流密度19-35A/dm2，在硫酸浓度为90-120g/L,二价铜离子浓度为45-60g/L的固化液中电镀；
第三固化工序：将第二固化工序电镀后的铜箔在温度35-45℃、一段电流密度19-35A/dm2、二段电流密度19-35A/dm2，在硫酸浓度为90-120g/L,二价铜离子浓度为45-60g/L的固化液中电镀。
4.根据权利要求1所述的一种电子铜箔的制备方法，其特征在于：所述生箔添加剂包括800ppm明胶、8ppm胶原蛋白、100ppm纤维素、50ppm 3-巯基-1-丙磺酸钠和10ppm四氢噻唑硫酮。
5.根据权利要求2或4所述的一种电子铜箔的制备方法，其特征在于：所述粗化添加剂包括20ppm盐酸、25ppm钨酸钠、10ppm聚乙二醇和和20ppm 2-巯基苯骈咪唑。
6.根据权利要求1所述的一种电子铜箔的制备方法，其特征在于：所述生箔添加剂包括2000ppm明胶、20ppm胶原蛋白、300ppm纤维素、200ppm 3-巯基-1-丙磺酸钠和20ppm四氢噻唑硫酮。
7.根据权利要求2或6所述的一种电子铜箔的制备方法，其特征在于：所述粗化添加剂包括40ppm盐酸、20ppm钨酸钠、20ppm聚乙二醇和和10ppm 2-巯基苯骈咪唑。
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