[发明专利]光刻设备有效
申请号: | 201510075990.X | 申请日: | 2012-03-06 |
公开(公告)号: | CN104614950B | 公开(公告)日: | 2017-04-12 |
发明(设计)人: | 恩格尔伯塔斯·安东尼纳斯·弗朗西丝克斯·范德帕斯奇;J·J·奥坦斯;E·J·M·尤森;J·H·W·雅各布斯;W·P·范德兰特;F·斯塔尔斯;L·J·曼彻特;E·W·博高特 | 申请(专利权)人: | ASML荷兰有限公司 |
主分类号: | G03F7/20 | 分类号: | G03F7/20 |
代理公司: | 中科专利商标代理有限责任公司11021 | 代理人: | 胡良均 |
地址: | 荷兰维*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 光刻 设备 | ||
1.一种光刻设备,包括:
衬底台(WT),所述衬底台包括用以保持衬底(W)的保持器;
衬底台位置测量系统,所述衬底台位置测量系统包括传感器头(1)和衬底台参考元件(4);以及
另一位置测量系统,
其中衬底台参考元件(4)布置在衬底台(WT)的底侧面,
其中传感器头(1)配置成与衬底台参考元件(4)协同操作以确定衬底台(WT)的位置,
其中所述另一位置测量系统用以在衬底(W)的顶侧测量衬底台(WT)的位置。
2.如权利要求1所述的光刻设备,包括基本上静止的框架和传感器框架(3),
其中传感器头(1)布置在传感器框架(3)上,
其中传感器框架(3)安装在所述基本上静止的框架上。
3.如权利要求2所述的光刻设备,包括投影系统PS,所述投影系统PS配置成将由图案形成装置(MA)赋予辐射束(B)的图案投影到衬底(W)的目标部分(C),
其中投影系统PS安装至所述基本上静止的框架。
4.如权利要求2或3所述的光刻设备,包括被动阻尼件,所述被动阻尼件用以阻尼传感器框架(3)的移动。
5.如权利要求4所述的光刻设备,其中被动阻尼件是用于抑制传感器框架(3)的共振峰的微调质量阻尼件。
6.如权利要求2-5中任一项所述的光刻设备,包括主动阻尼件(15),所述主动阻尼件(15)用以阻尼传感器框架(3)的移动。
7.如权利要求2-6中任一项所述的光刻设备,其中传感器框架(3)以在六个自由度上运动学的方式安装至所述基本上静止的框架上。
8.如前述权利要求中任一项所述的光刻设备,其中传感器头(1)布置在光刻设备的光轴(O)上。
9.如前述权利要求中任一项所述的光刻设备,其中传感器头(1)配置成确定衬底台(WT)在六个自由度上的位置。
10.如前述权利要求中任一项所述的光刻设备,其中衬底台参考元件(4)由与衬底台(WY)的至少一部分相同的材料形成。
11.如前述权利要求中任一项所述的光刻设备,其中由具有低的热膨胀系数的轻量的材料制造传感器框架(3)。
12.如前述权利要求中任一项所述的光刻设备,包括遮蔽框架,所述遮蔽框架包括至少部分地包围传感器框架(3)的遮蔽材料。
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