[发明专利]光刻设备

说明书

本申请为申请人“ASML荷兰有限公司”于申请日2012年3月6日递交的申请号为“201210056867.X”、发明名称为“光刻设备”的专利申请的分案申请。

技术领域

本发明涉及一种光刻设备。

背景技术

光刻设备是一种将所需图案应用到衬底上，通常是衬底的目标部分上的机器。例如，可以将光刻设备用在集成电路(ICs)的制造中。在这种情况下，可以将可选地称为掩模或掩模版的图案形成装置用于生成在所述IC的单层上待形成的电路图案。可以将该图案转移到衬底(例如，硅晶片)上的目标部分(例如，包括一部分管芯、一个或多个管芯)上。通常，图案的转移是通过把图案成像到提供到衬底上的辐射敏感材料(抗蚀剂)层上进行的。通常，单独的衬底将包含被连续形成图案的相邻目标部分的网络。公知的光刻设备包括：所谓的步进机，在步进机中，通过将全部图案一次曝光到所述目标部分上来辐射每一个目标部分；和所谓的扫描器，在所述扫描器中，通过辐射束沿给定方向(“扫描”方向)扫描所述图案、同时沿与该方向平行或反向平行的方向同步地扫描所述衬底来辐射每一个目标部分。也可能通过将图案压印(imprinting)到衬底上的方式从图案形成装置将图案转移到衬底上。

WO2010/032878公开一种光刻设备，其包括传感器头，传感器头配置成确定光刻设备的衬底台的位置。传感器头布置在在衬底台下面延伸的传感器臂上。传感器臂刚性地安装在光刻设备的量测框架上。光刻设备的衬底台包括保持装置，用以将衬底保持在保持平面内。衬底台还包括在平行于保持平面的测量平面内延伸的格栅板(grid plate)。格栅板布置在保持装置的下面，使得布置在传感器臂上的传感器头与格栅板协同操作以测量衬底台的位置。

WO2010/032878中的位置测量系统的缺点在于，位置测量系统会对动态移动和热影响敏感，这会导致不精确的位置测量。不精确的位置测量会导致曝光误差，例如聚焦和重叠误差，因此是不期望的。

发明内容

期望提供一种光刻设备，该光刻设备包括用于衬底台的精确的位置测量的位置测量系统。

根据本发明的一个实施例，提供一种光刻设备，包括：照射系统，配置成调节辐射束；支撑结构，构造成支撑图案形成装置，图案形成装置能够将图案在辐射束的横截面上赋予辐射束以形成图案化的辐射束；衬底台，包括保持装置，用以将衬底保持在保持平面内；投影系统，配置成当衬底台定位在曝光区域内时将图案化辐射束投影到衬底的目标部分上；和支撑投影系统的基本上隔离振动的框架，其中光刻设备包括衬底台位置测量系统，所述衬底台位置测量系统用以测量衬底台的位置，其中所述衬底台位置测量系统包括：衬底台参考元件，所述衬底台参考元件布置在衬底台上；和第一传感器头，所述第一传感器头用以确定第一传感器头相对于衬底台参考元件的位置，其中所述衬底台参考元件在基本上平行于保持平面的测量平面内延伸，并且其中所述保持平面布置在测量平面的一侧并且第一传感器头在衬底台位于曝光位置时布置在测量平面的相对侧，其中光刻设备包括传感器框架，所述传感器框架安装在光刻设备的子框架上，以及第一传感器头安装在传感器框架上；其中光刻设备包括投影系统位置测量系统，所述投影系统位置测量系统配置成测量投影系统的位置，所述投影系统位置测量系统包括至少一个投影系统参考元件和传感器组件，用以确定传感器组件相对于投影系统参考元件的位置，和其中传感器组件和至少一个投影系统参考元件中的一个安装在投影系统上，以及传感器组件和至少一个投影系统参考元件中的另一个安装在传感器框架上。

附图说明

现在参照随附的示意性附图，仅以举例的方式，描述本发明的实施例，其中，在附图中相应的附图标记表示相应的部件，且其中：

图1示出根据本发明一个实施例的光刻设备；

图2示出根据本发明一个实施例的具有传感器头和传感器组件的传感器框架；

图3示意地示出图2中剖面A-A的俯视图；和

图4示出根据本发明一个实施例的用于光刻设备的测量区域的具有传感器头和传感器组件的第二传感器框架。

具体实施方式