[发明专利]热处理方法及热处理装置有效
申请号: | 201510076277.7 | 申请日: | 2015-02-12 |
公开(公告)号: | CN104900517B | 公开(公告)日: | 2018-02-27 |
发明(设计)人: | 藤田浩;木村贵弘 | 申请(专利权)人: | 斯克林集团公司 |
主分类号: | H01L21/324 | 分类号: | H01L21/324;H01L21/67 |
代理公司: | 北京同立钧成知识产权代理有限公司11205 | 代理人: | 杨贝贝,臧建明 |
地址: | 日本京都府京都市上京区堀*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 热处理 方法 装置 | ||
1.一种热处理方法,通过对形成有加热对象物的基材照射光而使所述加热对象物升温,并且所述热处理方法的特征在于包括以下工序:
供给工序,将在低于所述加热对象物的升温目标温度的温度下发生相转变的相转变物质选择性地供给于供给区域,其中所述供给区域至少包含所述基材中必须抑制升温的升温抑制区域;以及
加热工序,对附着有所述相转变物质的基材照射光,对所述加热对象物进行加热。
2.根据权利要求1所述的热处理方法,其特征在于,所述相转变物质的转变温度低于基材产生热损伤的温度。
3.根据权利要求1或2所述的热处理方法,其特征在于,在所述加热工序中,对基材照射闪光。
4.根据权利要求1或2所述的热处理方法,其特征在于,在所述供给工序中,将含有所述相转变物质的液体供给于所述基材。
5.根据权利要求4所述的热处理方法,其特征在于,在所述供给工序之前,还包括以下工序:在含有所述相转变物质的液体中,添加提高所述液体的粘性的增粘剂。
6.根据权利要求4所述的热处理方法,其特征在于,在所述供给工序之前,还包括以下工序:对所述供给区域实施亲水化处理而赋予亲水性。
7.根据权利要求6所述的热处理方法,其特征在于,在所述赋予亲水性工序之后且所述供给工序之前,还包括以下工序:对所述供给区域的周围实施斥水化处理,由斥水性区域来包围所述供给区域。
8.根据权利要求4所述的热处理方法,其特征在于,在所述供给工序中,将含有液相的所述相转变物质的液体供给于所述基材。
9.根据权利要求8所述的热处理方法,其特征在于,还包括以下工序:使通过所述供给工序而被供给于所述基材的液相的所述相转变物质凝固。
10.根据权利要求4所述的热处理方法,其特征在于,在所述供给工序中,将含有使所述相转变物质溶解在溶剂中所得的溶液的液体供给于所述基材。
11.根据权利要求10所述的热处理方法,其特征在于,还包括:析出工序,从通过所述供给工序而被供给于所述基材的溶液中去除溶剂,使所述相转变物质在所述供给区域析出。
12.根据权利要求4所述的热处理方法,其特征在于,在所述供给工序中,从喷出液滴的喷嘴中将含有所述相转变物质的液体喷出到所述供给区域中。
13.根据权利要求1或2所述的热处理方法,其特征在于,在所述供给工序中,将含有所述相转变物质的固体供给于所述基材。
14.根据权利要求13所述的热处理方法,其特征在于,在所述供给工序中,将含有固相的所述相转变物质的固体供给于所述基材。
15.根据权利要求13所述的热处理方法,其特征在于,在所述供给工序之前,还包括以下工序:将含有所述相转变物质的固体融解时所产生的液体的粘性提高的增粘剂添加到所述固体中。
16.根据权利要求1或2所述的热处理方法,其特征在于,
所述供给工序包括以下工序:
对于在与所述供给区域相对应的图案欲选择性地附着所述相转变物质的印刷版供给所述相转变物质;以及
将附着在所述印刷版上的所述相转变物质转印到所述基材的所述供给区域上。
17.根据权利要求1或2所述的热处理方法,其特征在于,在所述加热工序后,还包括将残留在所述基材上的所述相转变物质去除的去除工序。
18.根据权利要求1或2所述的热处理方法,其特征在于,在所述供给工序中,对与形成有所述加热对象物的所述基材的第1面为相反侧的第2面供给所述相转变物质。
19.根据权利要求18所述的热处理方法,其特征在于,在所述供给工序中,使承载有所述相转变物质的承载构件接近所述第2面,将所述相转变物质供给于所述供给区域。
20.根据权利要求1或2所述的热处理方法,其特征在于,所述相转变物质为水。
21.根据权利要求1或2所述的热处理方法,其特征在于,所述基材为长条。
22.根据权利要求1或2所述的热处理方法,其特征在于,所述基材为板状或片状。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造