[发明专利]热处理方法及热处理装置

说明书

技术领域

本发明涉及一种热处理方法及热处理装置，所述热处理方法及热处理装置通过对形成有加热对象物的树脂等缺乏耐热性的基材照射光而使该加热对象物升温。

背景技术

作为在极短的时间内将基材的表面加热的技术，使用闪光灯(flash lamp)的闪光灯退火(Flash Lamp Anneal，FLA)技术已为人所知。闪光灯的发光时间为1秒以下(典型来说为几毫秒～几十毫秒)，通过将照射时间极短且强度强的闪光(flash)照射于基材的表面而使该表面瞬间升温。

例如专利文献1中公开了一种干燥技术，其从闪光灯对利用化学液及纯水进行了表面清洗处理的半导体基板照射闪光，由此使基板表面上残留的液体沸腾而蒸发。另外，专利文献2中公开了以下技术：从闪光灯对基板上的硅薄膜照射闪光，由此将硅薄膜加以脉冲熔融而形成多晶硅。

另一方面，近年来伴随着电子纸的实用化，正在尝试在聚对苯二甲酸乙二酯(Polyethyleneterephthalate，PET)等可挠性的树脂膜上形成薄膜晶体管(Thin Film Transistor，TFT)元件等的半导体器件。在这种可挠性的电子设备的制造工序中，也必须对在树脂基材的表面上积层有电极等功能层的被处理体进行退火处理。专利文献3中公开了以下技术：对在PET等的透明基板上形成有透明导电膜的透明导电性片照射闪光，由此仅选择性地加热透明导电膜。

[现有技术文献]

[专利文献]

[专利文献1]日本专利特开2008-128567号公报

[专利文献2]日本专利特表2011-515833号公报

[专利文献3]日本专利特开2010-146757号公报

发明内容

[发明所欲解决的问题]

专利文献3中公开的闪光灯退火中，为了仅对透明导电膜进行加热，必须根据其膜厚等而使闪光的照射时间或照射能量密度等最佳化。另外，专利文献3中公开的技术在透明基板的整个面上形成透明导电膜，但实际工艺中，大多情况下在透明基板的一部分上形成导电膜。这种情况下，即便使闪光的照射条件最佳化，未形成导电膜的透明基板的区域也直接暴露在闪光下，因此可能该区域过度升温而对透明基板造成热损伤。

特别是在基材的原材料为像PET那样缺乏耐热性的树脂的情况下，产生以下问题：若对导电膜以能升温到既定的目标温度的程度进行闪光照射，则无法避免对基材的损伤，反之，不对基材造成损伤的程度的闪光照射无法将导电膜升温到必要的目标温度。

本发明是鉴于所述课题而成，其目的在于提供一种热处理方法及热处理装置，所述热处理方法及热处理装置可以在不对基材造成损伤的情况下将形成在基材上的加热对象物升温到目标温度。

[解决问题的手段]

为了解决所述课题，技术方案1的发明是一种热处理方法，其通过对形成有加热对象物的基材照射光而使所述加热对象物升温，并且所述热处理方法包括以下工序：供给工序，将在低于所述加热对象物的升温目标温度的温度下发生相转变的相转变物质选择性地供给于供给区域，其中所述供给区域至少包含所述基材中必须抑制升温的升温抑制区域；以及加热工序，对附着有所述相转变物质的基材照射光，对所述加热对象物进行加热。

另外，技术方案2的发明根据技术方案1的发明的热处理方法，所述相转变物质的转变温度低于基材产生热损伤的温度。

另外，技术方案3的发明根据技术方案1或技术方案2的发明的热处理方法，在所述加热工序中，对基材照射闪光。

另外，技术方案4的发明根据技术方案1至技术方案3中任一发明的热处理方法，在所述供给工序中，将含有所述相转变物质的液体供给于所述基材。

另外，技术方案5的发明根据技术方案4的发明的热处理方法，还包括以下工序：在含有所述相转变物质的液体中添加提高所述液体的粘性的增粘剂。

另外，技术方案6的发明根据技术方案4的发明的热处理方法，还包括以下工序：对所述供给区域实施亲水化处理而赋予亲水性。

另外，技术方案7的发明根据技术方案6的发明的热处理方法，还包括以下工序：对所述供给区域的周围实施斥水化处理，由斥水性区域来包围所述供给区域。

另外，技术方案8的发明根据技术方案4至技术方案7中任一发明的热处理方法，在所述供给工序中，将含有液相的所述相转变物质的液体供给于所述基材。

另外，技术方案9的发明根据技术方案8的发明的热处理方法，还包括以下工序：使被供给于所述基材的液相的所述相转变物质凝固。