[发明专利]蚀刻方法有效
| 申请号： | 201510080883.6 | 申请日： | 2015-02-13 |
| 公开（公告）号： | CN104867827B | 公开（公告）日： | 2017-10-31 |
| 发明（设计）人： | 北垣内圭二;胜沼隆幸;本田昌伸 | 申请（专利权）人： | 东京毅力科创株式会社 |
| 主分类号： | H01L21/311 | 分类号： | H01L21/311 |
| 代理公司： | 北京林达刘知识产权代理事务所(普通合伙)11277 | 代理人： | 刘新宇,张会华 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 蚀刻 方法 | ||
1.一种蚀刻方法，其是对由氧化硅构成的第一区域进行蚀刻的方法，其中，
该蚀刻方法包括以下工序：
暴露工序，其是将具有所述第一区域和由氮化硅构成的第二区域的被处理体暴露在含有碳氟化合物气体的处理气体的等离子体中的工序，在该暴露工序中，对所述第一区域和所述第二区域进行蚀刻且在所述第一区域和所述第二区域上形成含有碳氟化合物的堆积物；
变质区域形成工序，其是通过使来源于所述碳氟化合物气体的活性种冲撞所述第二区域来在所述第二区域上形成所述堆积物的变质区域的工序；以及
蚀刻工序，其是通过将所述被处理体暴露在含有稀有气体的气体的等离子体中来利用所述堆积物所含有的碳氟化合物的自由基对所述第一区域进行蚀刻的工序，
交替地重复执行将所述被处理体暴露在含有碳氟化合物气体的处理气体的等离子体中的所述暴露工序和利用所述堆积物所含有的碳氟化合物的自由基对所述第一区域进行蚀刻的所述蚀刻工序。
2.根据权利要求1所述的蚀刻方法，其中，
在所述蚀刻工序中，不供给碳氟化合物气体。
3.根据权利要求1所述的蚀刻方法，其中，
使用具有上部电极的电容耦合型等离子体处理装置来执行所述暴露工序和所述蚀刻工序，
所述上部电极具有硅制的电极板，
所述上部电极与能施加用于向所述电极板吸引正离子的电压的电源相连接，
在所述暴露工序和所述蚀刻工序中的至少一个工序中，对所述上部电极施加所述电压。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
