[发明专利]蚀刻方法

说明书

技术领域

本发明涉及一种蚀刻方法。

背景技术

在电子器件的制造过程中，有时进行利用蚀刻在作为绝缘层的氧化硅膜上形成孔、沟槽等的处理。在氧化硅膜的蚀刻过程中，如美国专利第7708859号说明书所记载地那样，通常的做法是，通过将被处理体暴露在碳氟化合物气体的等离子体中来对氧化硅膜进行蚀刻。

在使用碳氟化合物气体的等离子体的蚀刻过程中，利用氟的活性种来对氧化硅膜进行蚀刻。另外，在该蚀刻过程中，使碳氟化合物附着于氧化硅膜而形成堆积物。

专利文献1：美国专利第7708859号说明书

发明内容

发明要解决的问题

在所述氧化硅膜的蚀刻过程中，堆积物的膜厚逐渐增加。当堆积物的膜厚变大时，会阻碍能够对氧化硅膜进行蚀刻的活性种到达氧化硅膜。由此，氧化硅膜的蚀刻会在中途停顿下来。其结果，使氧化硅膜的蚀刻速度降低。

因而，为了持续对氧化硅膜进行蚀刻而需要一种新的蚀刻方法。

用于解决问题的方案

在一技术方案中提供一种对由氧化硅构成的区域进行蚀刻的蚀刻方法。该方法包括以下工序：(a)将具有由氧化硅构成的区域的被处理体暴露在含有碳氟化合物气体的处理气体的等离子体中的工序(以下，称作“工序(a))，在该工序(a)中，对该区域进行蚀刻且在该区域上形成含有碳氟化合物的堆积物；以及(b)利用所述堆积物所含有的碳氟化合物的自由基对所述区域进行蚀刻的工序(以下，称作“工序(b)”)，在该方法中，交替地重复执行工序(a)和工序(b)。

在该方法中，在工序(a)中，利用所生成的碳氟化合物气体的等离子体来对由氧化硅构成的区域进行蚀刻而在该区域上形成堆积物。接着，在工序(b)中，使用堆积物所含有的碳氟化合物的自由基来进一步对所述区域进行蚀刻。另外，在该工序(b)中，堆积物的量减少，因而，通过进一步执行工序(a)，从而进一步对第1区域进行蚀刻。通过交替地重复执行该工序(a)和工序(b)，能够防止所述区域、即氧化硅膜的蚀刻停止。其结果，能够持续对氧化硅膜进行蚀刻。

在一技术方案的工序(b)中，也可以将被处理体暴露在稀有气体的等离子体中。即，也可以将堆积物暴露在稀有气体的等离子体中。在该技术方案的方法中，通过使稀有气体原子的离子冲撞堆积物，从而使该堆积物中的碳氟化合物自由基对所述区域进行蚀刻。此外，在一技术方案的工序(b)中，也可以实质上不供给碳氟化合物气体。

另外在，在一技术方案中，被处理体还能够具有由氮化硅构成的另一区域。采用该技术方案，能够相对于由氮化硅构成的另一区域而以较高的选择性对由氧化硅构成的区域进行蚀刻。

另外，在一技术方案中，也可以使用具有上部电极的电容耦合型等离子体处理装置来执行工序(a)和工序(b)。上部电极具有硅制的电极板，上部电极与能对上部电极施加用于向电极板吸引正离子的电压的电源相连接。在该技术方案中，在工序(a)和工序(b)中的至少一个工序中，对上部电极施加所述电压。采用该技术方案，通过使正离子冲撞电极板，从而自该电极板放出硅。被放出来的硅与在等离子体处理装置内存在的氟的活性种相结合而使氟的活性种的量减少。其结果，能够抑制由氮化硅构成的另一区域被蚀刻，能够以更高的选择性对由氧化硅构成的区域进行蚀刻。

发明的效果

如以上说明那样，通过防止氧化硅膜的蚀刻停止，能够持续对氧化硅膜进行蚀刻。

附图说明

图1是表示一实施方式的蚀刻方法的流程图。

图2是表示一实施方式的等离子体处理装置的图。

图3是表示方法MT的处理对象的一个例子的剖视图。

图4是用于说明方法MT中的、第1区域的处理的图。

图5用于说明方法MT中的、第2区域的处理的图。

图6是表示方法MT的处理对象的另一个例子的剖视图。

图7是表示由实验例9获得的结果的图表。

具体实施方式

以下，参照附图详细说明各种实施方式。此外，在各附图中，对于相同或相当的部分标注相同的附图标记。

图1是表示一实施方式的蚀刻方法的流程图。图1所示的方法MT是对由氧化硅构成的区域进行蚀刻的方法。在一个例子中，该方法也可以适用于具有由氧化硅构成的第1区域和由氮化硅构成的第2区域的被处理体(以下，称作”晶圆”)。