[发明专利]低功率偏移存储的锁存器

权利要求书

1.一种锁存器，其包括：

输出级，其具有第一输出及第二输出，其中所述第一输出经布置以提供用于控制所述第二输出的第一正反馈回路，且其中所述第二输出经布置以提供用于控制所述第一输出的第二正反馈回路；及

输入级，其具有电容式耦合到第一放大器的控制输入的第一输入及电容式耦合到第二放大器的控制输入的第二输入，其中在分辨相位期间，所述第一输出经选择性地耦合到所述第一放大器的第一信号输入且所述第二输出经选择性地耦合到所述第二放大器的第一信号输入，其中在偏移存储相位期间，偏置电流源是经由第一电阻器选择性地耦合到所述第一放大器的所述控制输入及所述第一信号输入，且其中在所述偏移存储相位期间，所述偏置电流源是经由第二电阻器选择性地耦合到所述第二放大器的所述控制输入及所述第一信号输入。

2.根据权利要求1所述的锁存器，其中所述第一电阻器具有与所述第二电阻器相同的电阻。

3.根据权利要求2所述的锁存器，其中所述输出级包括PMOS晶体管，所述PMOS晶体管包含耦合到正供电轨的源极、耦合到第二输出信号的栅极及耦合到第一输出信号的漏极。

4.根据权利要求3所述的锁存器，其中所述第一放大器是NMOS晶体管，所述NMOS晶体管具有经布置具有第一宽长比的栅极区域，且其中所述第二放大器是具有经布置具有所述第一宽长比的栅极区域的NMOS晶体管。

5.根据权利要求4所述的锁存器，其中所述偏移存储相位期间由所述第一放大器及所述第二放大器携带的电流小于所述分辨相位期间由所述第一放大器及所述第二放大器携带的电流。

6.根据权利要求5所述的锁存器，其中所述偏移存储相位期间由所述第一放大器及所述第二放大器携带的电流小于多个所述分辨相位期间由所述第一放大器及所述第二放大器携带的电流。

7.根据权利要求6所述的锁存器，其中所述多个分辨相位发生在每一偏移存储相位之后。

8.根据权利要求5所述的锁存器，其包括：

第一晶体管，其包含耦合到所述第一放大器的所述NMOS晶体管的所述源极的漏极、耦合到接地的源极及耦合到所述第一放大器的所述NMOS晶体管的所述栅极区域的栅极；及

第二晶体管，其包含耦合到所述第二放大器的所述NMOS晶体管的所述源极的漏极、耦合到接地的源极及耦合到所述第二放大器的所述NMOS晶体管的所述栅极区域的栅极，其中所述第一晶体管及所述第二晶体管经布置以传导小于所述第一放大器及所述第二放大器各自的所述NMOS晶体管中的每一者的电流。

9.根据权利要求8所述的锁存器，其中所述第一晶体管的所述栅极的宽长比是所述第一放大器的所述NMOS晶体管的所述栅极区域的所述第一宽长比的乘法倒数，且其中所述第二晶体管的所述栅极的宽长比是所述第二放大器的所述NMOS晶体管的所述栅极区域的所述第一宽长比的乘法倒数。

10.根据权利要求9所述的锁存器，其包括第三晶体管，所述第三晶体管包含耦合到所述第一放大器及所述第二放大器各自的所述NMOS晶体管的两个所述源极的漏极，所述第三晶体管包含耦合到接地的源极。

11.根据权利要求10所述的锁存器，其中所述第三晶体管在所述分辨相位期间经布置以携带所述分辨相位期间由所述第一放大器及所述第二放大器携带的所述电流的一部分。

12.根据权利要求10所述的锁存器，其中所述第三晶体管经布置以传导所述分辨相位期间由所述第一放大器及所述第二放大器携带的全部所述电流中的大多数电流，其中所述分辨相位期间由所述第一放大器及所述第二放大器携带的平均电流大于所述偏移存储相位期间由所述第一放大器及所述第二放大器携带的平均电流。