[发明专利]制造有机发光显示装置的方法

说明书

技术领域

本发明涉及一种制造有机发光显示装置的方法。

背景技术

通常，平面显示装置可以被分为发光型装置和光接收型装置。发光型装置可以包括，例如阴极射线管、等离子显示面板、电致发光装置、发光二极管等。光接收型装置可以包括，例如液晶显示器。在这些中，电致发光装置具有若干优点，例如宽视角、优异的对比度和高的响应速度，因此，其作为下一代显示装置引起了公众的关注。

这种电致发光装置根据形成发光层的材料分为无机电致发光装置和有机电致发光装置。

在这些中，有机电致发光装置是自发光型显示器，其电激发荧光有机化合物来发光。该装置可在低电压下驱动，易于以薄的厚度来制造，并且具有宽的视角和高的响应速度，因此，其作为克服传统液晶显示器的问题的下一代显示器而引起了公众的关注。

有机电致发光装置可以包括阳极电极、阴极电极、及在它们之间由有机材料制成的发光层。对于有机电致发光装置，由于将正电压和负电压分别施加到这些电极上，因此将从阳极电极注入的空穴穿过空穴传输层然后移动到发光层，同时从阴极电极提供的电子穿过电子输送层然后移动到发光层，然后，这些电子和空穴在发光层中再次结合以形成激子。

当激子从激发态到基态变化时，在发光层中的磷光剂(phosphor)分子发光以形成图像。对于全色型有机电致发光装置，提供了红(R)、绿(G)和蓝(B)三种颜色发光的像素以获得全色的图像。

同时，用在例如电致发光装置、液晶显示器等的平面显示装置中的薄膜晶体管(在下文中，称为TFT)通常被用作控制每个像素的操作的开关装置和用于驱动像素的驱动装置。这种薄膜晶体管包括具有漏区和源区(漏区和源区在衬底上掺杂有高浓度的杂质)的半导体有源层、在漏区和源区之间形成的沟道区、在半导体有源层上形成的栅绝缘膜、以及在有源层中在沟道区的顶部上形成的栅电极。

例如，登记号为10-1174881的韩国专利公开了一种有机发光显示器及其制造方法。然而，该专利没有从根本上解决上述问题。

发明内容

因此，本发明的目的是提供一种制造有机发光显示装置的方法，该方法使用在形成栅电极和像素电极中可用的蚀刻剂组合物。

通过下面的特征将实现本发明的以上目的：

(1)一种制造有机发光显示装置的方法，包括：a)在基板上形成栅电极；b)在包括所述栅电极的基板上形成栅绝缘层；c)在所述栅绝缘层上形成有源层；d)在所述有源层上形成绝缘层；e)在所述绝缘层上形成源电极和漏电极，所述源电极和所述漏电极与所述有源层接触；f)在所述绝缘层上形成钝化层，以覆盖所述源电极和所述漏电极；以及g)形成有机发光元件，所述有机发光元件电气连接到所述源电极和所述漏电极中的一者，其中，步骤a)包括形成铝金属层、钼金属层或银金属层、或它们的层压(laminate)层，然后用蚀刻剂组合物蚀刻所述金属层以形成所述栅电极，所述蚀刻剂组合物包括50wt.％(重量％)至70wt.％的磷酸、2wt.％至15wt.％的硝酸、5wt.％至20wt.％的乙酸、0.1wt.％至5wt.％的对甲苯磺酸、以及余量的水。

(2)根据上述(1)所述的方法，所述铝金属层为铝层、或者包括铝和至少一种选自La、Mg、Zn、In、Ca、Te、Sr、Cr、Co、Mo、Nb、Ta、W、Ni、Nd、Sn、Fe、Si、Ti、Pt和C中的金属的合金层。

(3)根据上述(1)所述的方法，所述钼金属层为钼层、或者包括钼和至少一种选自Ti、Ta、Cr、Ni、Nd、In和Al中的金属的合金层。

(4)根据上述(1)所述的方法，所述银金属层为银层、或者包括银和至少一种选自La、Mg、Zn、In、Ca、Te、Sr、Cr、Co、Mo、Nb、Ta、W、Ni、Nd、Sn、Fe、Si、Ti、Pt、Pd和Cu中的金属的合金层。

(5)根据上述(1)所述的方法，形成所述有机发光元件的步骤包括：形成第一电极，所述第一电极与所述源电极和所述漏电极中的一者电气连接；在所述第一电极上形成有机层；以及在所述有机层上形成第二电极。

(6)根据上述(5)所述的方法，所述第一电极通过在所述钝化层上形成导电材料层然后用蚀刻剂组合物蚀刻所述导电材料层来形成，所述导电材料层为铝金属层、钼金属层或银金属层、金属氧化物层、或它们的层压层，所述蚀刻剂组合物包括50wt.％至70wt.％的磷酸、2wt.％至15wt.％的硝酸、5wt.％至20wt.％的乙酸、0.1wt.％至5wt.％的对甲苯磺酸、以及余量的水。