[发明专利]有机发光二极管器件及其制作方法

权利要求书

1.一种有机发光二极管器件，其特征在于，包括光学结构和电学结构，所述光学结构包括光反射层和设于所述光反射层之上的腔长调节层，所述电学结构包括位于所述腔长调节层之上依序设置的阳极层、空穴注入层、空穴传输层、发光层、电子传输层、以及阴极层，所述阳极层电性连通所述光反射层。

2.如权利要求1所述的有机发光二极管器件，其特征在于，所述腔长调节层的厚度适配于所述有机发光二极管器件的出光光程。

3.如权利要求1所述的有机发光二极管器件，其特征在于，所述阳极层覆盖于所述腔长调节层并部分形成于所述光反射层之上。

4.如权利要求2或3所述的有机发光二极管器件，其特征在于，所述光学结构还包括光取出层，所述光取出层设于所述阴极层之上。

5.如权利要求4所述的有机发光二极管器件，其特征在于，所述光反射层的结构包括第一ITO层、Ag层、以及第二ITO层，所述Ag层设于所述第一ITO层和所述第二ITO层之间。

6.一种有机发光二极管器件的制作方法，其特征在于，包括：

制备光反射层，并于所述光反射层上制备腔长调节层，形成光学结构；

于所述腔长调节层之上依序制备阳极层、空穴注入层、空穴传输层、发光层、电子传输层、以及阴极层，形成电学结构；其中，所述阳极层与所述光反射层电性连通。

7.如权利要求6所述的有机发光二极管器件的制作方法，其特征在于，所述腔长调节层的厚度适配于所述有机发光二极管器件的出光光程，制备所述腔长调节层包括：

根据所需有机发光二极管器件的出光光程计算得出所述腔长调节层的厚度；

制备具有该厚度的腔长调节层。

8.如权利要求6所述的有机发光二极管器件的制作方法，其特征在于，制备所述阳极层时，采用开口大于所述腔长调节层的遮罩进行制备，形成包覆于所述腔长调节层的阳极层，且部分阳极层形成于所述光反射层之上。

9.如权利要求6所述的有机发光二极管器件的制作方法，其特征在于，于所述阴极层之上制备光取出层。

10.如权利要求6所述的有机发光二极管器件的制作方法，其特征在于，所述光反射层的结构包括第一ITO层、Ag层、以及第二ITO层，制备所述光反射层包括：制备第一ITO层，于所述第一ITO层之上制备Ag层，再于所述Ag层之上制备第二ITO层。