[发明专利]有机发光二极管器件及其制作方法在审

专利信息
申请号: 201510084650.3 申请日: 2015-02-16
公开(公告)号: CN104617225A 公开(公告)日: 2015-05-13
发明(设计)人: 何志江;高衍品 申请(专利权)人: 上海和辉光电有限公司
主分类号: H01L51/50 分类号: H01L51/50;H01L51/52;H01L51/56
代理公司: 上海唯源专利代理有限公司 31229 代理人: 曾耀先
地址: 201508 上海市金山区*** 国省代码: 上海;31
权利要求书: 查看更多 说明书: 查看更多
摘要:
搜索关键词: 有机 发光二极管 器件 及其 制作方法
【说明书】:

技术领域

发明涉及显示领域,尤其涉及一种有机发光二极管器件及其制作方法。

背景技术

有机发光二极管(Organic Light-Emitting Diode,简称OLED),又称为有机电激光显示,具有自发光的特性,采用非常薄的有机材料涂层和玻璃基板,当电流通过时,有机材料就会发光。

现有的OLED显示屏中,通常采用顶发射方式,通过调节微腔结构实现显示屏发光颜色的色度和光强度的调节,以得到一个较好的色坐标值。现有的OLED器件结构如图1所示,在阳极基板上依次形成有机层第一空穴注入层(HIL1),第二空穴注入层(HIL2),第三空穴注入层(HIL3),空穴传输层(HTL),发光层(EML),电子传输层(ETL)后,再蒸镀阴极层,最后增加一层光取出层(capping layer),调节微腔结构的方法一般是通过调节OLED器件中的有机层的厚度,可以调节一层或者几层的厚度来调节腔长,从而改变光程以得到满足要求的发光谱的光色参数。这样调节存在以下缺陷:因有机材料的载子迁移率低,当有机层的厚度发现变化时,OLED器件的驱动电压也会随之产生变化,导致器件的电学性能发生变化,增加了器件性能调节的难度;当只调节一层有机层的厚度来调节腔长时,OLED器件中的空穴和电子数会发生变化,导致不平衡,进而使得器件效率下降。

发明内容

本发明的目的在于克服现有技术的缺陷,提供一种有机发光二极管器件及其制作方法,可以解决现有器件调节光程时导致的电学性能变化,引起器件效率下降的问题。

实现上述目的的技术方案是:

本发明一种有机发光二极管器件,包括光学结构和电学结构,所述光学结构包括光反射层和设于所述光反射层之上的腔长调节层,所述电学结构包括位于所述腔长调节池之上依序设置的阳极层、空穴注入层、空穴传输层、发光层、电子传输层、以及阴极层,所述阳极层电性连通所述光反射层。

采用分离的光学结构和电学结构设计,只需调节光学结构上的腔长调节层的厚度就可以调节器件的光程,同时还不会影响电学结构的性能,解决了现有技术中调节光程时导致电学性能变化,引起器件效率下降的问题。

本发明有机发光二极管器件的进一步改进在于,所述腔长调节层的厚度适配于所述有机发光二极管器件的出光光程。

本发明有机发光二极管器件的进一步改进在于,所述阳极层覆盖于所述腔长调节层并部分形成于所述光反射层之上。

本发明有机发光二极管器件结构的进一步改进在于,所述光学结构还包括光取出层,所述光取出层设于所述阴极层之上。

本发明有机发光二极管器件的进一步改进在于,所述光反射层的结构包括第一ITO层、Ag层、以及第二ITO层,所述Ag层设于所述第一ITO层和所述第二ITO层之间。

一种有机发光二极管器件的制作方法,包括:

制备光反射层,并于所述光反射层上制备腔长调节层,形成光学结构;

于所述腔长调节层之上依序制备阳极层、空穴注入层、空穴传输层、发光层、电子传输层、以及阴极层,形成电学结构;其中,所述阳极层与所述光反射层电性连通。

采用分离的光学结构和电学结构设计,只需调节光学结构上的腔长调节层的厚度就可以调节器件的光程,同时还不会影响电学结构的性能,解决了现有技术中调节光程时导致电学性能变化,引起器件效率下降的问题。

本发明有机发光二极管器件的制作方法的进一步改进在于,所述腔长调节层的厚度适配于所述有机发光二极管器件的出光光程,制备所述腔长调节层包括:

根据所需有机发光二极管器件的出光光程计算得出所述腔长调节层的厚度;

制备具有该厚度的腔长调节层。

本发明有机发光二极管器件的制作方法的进一步改进在于,制备所述阳极层时,采用开口大于所述腔长调节层的遮罩进行制备,形成包覆于所述腔长调节层的阳极层,且部分阳极层形成于所述光反射层之上。

本发明有机发光二极管器件的制作方法的进一步改进在于,于所述阴极层之上制备光取出层。

本发明有机发光二极管器件的制作方法的进一步改进在于,所述光反射层的结构包括第一ITO层、Ag层、以及第二ITO层,制备所述光反射层包括:制备第一ITO层,于所述第一ITO层之上制备Ag层,再于所述Ag层之上制备第二ITO层。

附图说明

图1为现有技术中有机发光二极管示意图;

图2为本发明有机发光二极管器件的示意图;

图3为现有技术中有机发光二极管的出光率示意图;

下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。

该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于上海和辉光电有限公司,未经上海和辉光电有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服

本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201510084650.3/2.html,转载请声明来源钻瓜专利网。

×

专利文献下载

说明:

1、专利原文基于中国国家知识产权局专利说明书;

2、支持发明专利 、实用新型专利、外观设计专利(升级中);

3、专利数据每周两次同步更新,支持Adobe PDF格式;

4、内容包括专利技术的结构示意图流程工艺图技术构造图

5、已全新升级为极速版,下载速度显著提升!欢迎使用!

请您登陆后,进行下载,点击【登陆】 【注册】

关于我们 寻求报道 投稿须知 广告合作 版权声明 网站地图 友情链接 企业标识 联系我们

钻瓜专利网在线咨询

周一至周五 9:00-18:00

咨询在线客服咨询在线客服
tel code back_top