[发明专利]自对准接触部

权利要求书

1.一种晶体管，包括：

衬底；

在所述衬底上的间隔体对；

共形高k栅极电介质层，其在所述衬底的表面上并且沿着所述间隔体对的侧壁；

共形栅电极层，其（a）在所述共形高k栅极电介质层的位于所述衬底的所述表面上的部分上，并且（b）沿着所述共形高k栅极电介质层的那些沿着所述间隔体对的侧壁的部分；

在所述共形栅电极层上的填充金属层；

帽层，其在所述间隔体对之间并且与所述共形高k栅极电介质层、所述共形栅电极层、以及所述填充金属层中的这三个层均物理接触；

邻近所述间隔体对的扩散区对；

第一层间电介质（ILD）层，其与所述间隔体对直接相邻，所述第一层间电介质层基本上与所述间隔体对和所述帽层共面；

第二层间电介质层，其在所述第一层间电介质层上、所述间隔体对上、以及所述帽层上；以及

在所述第一层间电介质层和所述第二层间电介质层中的导电接触部，所述导电接触部在所述扩散区对中的一个扩散区上和所述帽层的一部分上。

2.根据权利要求1所述的晶体管，其中所述共形栅电极层包括铪、钽、钛和镍中的一个或更多。

3.根据权利要求1所述的晶体管，还包括：

在所述扩散区对中的一个扩散区上和所述帽层的一部分上的导电接触部。

4.根据权利要求1所述的晶体管，还包括：

在所述扩散区对中的一个扩散区上并且与所述间隔体对中的一个间隔体直接相邻的导电接触部。

5.一种非平面晶体管，包括：

FinFET体；

在所述FinFET体上的间隔体对；

栅极电介质层，其在所述FinFET体的在所述间隔体对之间的表面上，并且沿着所述间隔体对的侧壁；

栅电极，其在所述栅极电介质层上并且在所述间隔体对之间，其中所述栅电极与所述间隔体对之间隔着所述栅极电介质层的沿着所述间隔体对的侧壁的部分；

绝缘帽层，其在所述间隔体对之间的所述栅极电极上，并且直接位于所述栅极电介质层的沿着所述间隔体对的侧壁的所述部分上；以及

邻近所述间隔体对的扩散区对。

6. 根据权利要求5所述的非平面晶体管，其中所述栅电极包括：

栅电极层，其（a）位于所述栅极电介质层的、在所述FinFET体的介于所述间隔体对之间的所述表面上的部分上，并且（b）沿着所述栅极电介质层的那些沿着所述间隔体对的侧壁的部分；以及

填充金属层，其在所述栅电极层上。

7.根据权利要求6所述的非平面晶体管，其中所述栅电极层包括铪、钽、钛和镍中的一个或更多。

8.根据权利要求5所述的非平面晶体管，还包括：

在所述扩散区对中的一个扩散区上和所述绝缘帽层的一部分上的导电接触部。

9.根据权利要求5所述的非平面晶体管，还包括：

在所述扩散区对中的一个扩散区上并且与所述间隔体对中的一个间隔体相邻的导电接触部。

10.根据权利要求5所述的非平面晶体管，还包括：

第一层间电介质（ILD）层，其与所述间隔体对直接相邻，所述第一层间电介质层基本上与所述间隔体对和所述绝缘帽层共面。

11.根据权利要求10所述的非平面晶体管，还包括：

第二层间电介质层，其在所述第一层间电介质层上、所述间隔体对上、以及所述绝缘帽层上。

12.根据权利要求11所述的非平面晶体管，还包括：

在所述第一层间电介质层和所述第二层间电介质层中的导电接触部，所述导电接触部在所述扩散区对中的一个扩散区上和所述绝缘帽层的一部分上。