[发明专利]半导体器件及形成其的方法

权利要求书

1.一种用于形成半导体器件的方法，所述方法包括：

在衬底中形成器件区，所述器件区从衬底的一个侧壁连续延伸到衬底的相对侧壁；

在衬底中形成沟槽，所述沟槽将所述器件区划分为有源区；

在所述沟槽内形成电介质材料，其中每个沟槽包括包含上部分和下部分的侧壁，其中所述电介质材料在侧壁上的厚度沿着侧壁从所述上部分向所述下部分减小；

在所述器件区上形成前侧金属化层，所述前侧金属化层延伸到所述沟槽中并且覆盖所述沟槽内的电介质材料的顶部部分；以及

通过沿着所述沟槽分离所述衬底来分割所述衬底。

2.如权利要求1所述的方法，还包括形成隔离沟槽，所述隔离沟槽将所述有源区划分为用于分立器件的多个区域。

3.如权利要求1所述的方法，其中形成所述电介质材料包括用绝缘衬里对侧壁的所述上部分加衬里。

4.如权利要求1所述的方法，其中通过沿着所述沟槽分离所述衬底来分割所述衬底的步骤包括从背侧减薄所述衬底以暴露所述沟槽，其中所述背侧与具有所述器件区的一侧相对。

5.如权利要求1所述的方法，其中通过沿着所述沟槽分离所述衬底来分割所述衬底的步骤包括减薄所述衬底且通过所述沟槽对所述衬底进行切割。

6.如权利要求1所述的方法，其中形成所述沟槽包括沿着结晶方向进行蚀刻以形成V形凹槽。

7.如权利要求1所述的方法，其中形成沟槽包括形成梯形的凹槽。

8.如权利要求1所述的方法，其中形成沟槽的步骤包括形成具有平行的面的侧壁。

9.如权利要求1所述的方法，其中形成沟槽包括使用等离子体蚀刻工艺。

10.如权利要求1所述的方法，其中所述沟槽在形成任何隔离区之前被形成。

11.一种用于形成半导体器件的方法，所述方法包括：

在使用有源掩模步骤之前在衬底中形成器件区；

在形成所述器件区之后，在所述衬底中沿着切割道形成间隙，所述间隙将所述器件区划分为多个有源区；

在所述间隙内形成电介质材料，其中每个间隙包括包含上部分和下部分的侧壁，其中所述电介质材料在侧壁上的厚度沿着侧壁逐渐减少；

在所述器件区上形成前侧金属化层，所述前侧金属化层延伸到所述间隙中并且覆盖所述间隙内的电介质材料的顶部部分；以及

使用所述间隙来分割所述衬底。

12.如权利要求11所述的方法，其中所述器件区在使用任何掩模步骤之前被形成。

13.如权利要求11所述的方法，其中所述间隙在形成任何隔离区之前被形成。

14.如权利要求11所述的方法，还包括形成隔离沟槽，所述隔离沟槽将有源区划分为用于分立器件的多个区。

15.如权利要求11所述的方法，其中形成所述电介质材料包括用绝缘衬里对所述间隙的侧壁加衬里。

16.如权利要求11所述的方法，其中使用所述间隙来分割所述衬底的步骤包括从背侧减薄所述衬底以暴露所述间隙。

17.如权利要求11所述的方法，其中使用所述间隙来分割所述衬底的步骤包括减薄所述衬底且通过所述间隙对所述衬底进行切割。

18.如权利要求11所述的方法，其中形成间隙包括沿着结晶方向进行蚀刻以形成V形凹槽。

19.如权利要求11所述的方法，其中形成间隙包括形成梯形的凹槽。

20.如权利要求11所述的方法，其中形成间隙的步骤包括形成具有平行的面的侧壁。

21.如权利要求11所述的方法，其中形成间隙的步骤包括使用等离子体蚀刻工艺。

22.一种半导体器件，包括：

从衬底的一个侧壁延伸到另一个侧壁的器件区，其中所述侧壁具有第一部分和第二部分，所述第二部分通过平行于所述衬底的主要表面的次要表面来与所述第一部分偏移，

绝缘衬里，沿着所述侧壁的所述第一部分的顶部部分延伸，其中所述次要表面保持为暴露的；以及

在所述器件区上形成的前侧金属化层，所述前侧金属化层沿着所述侧壁延伸并且覆盖所述绝缘衬里的顶部部分。