[发明专利]半导体器件及形成其的方法

说明书

技术领域

本发明一般涉及半导体器件，并且在特别的实施例中涉及半导体器件及形成其的方法。

背景技术

半导体器件用在许多电子和其它应用中。半导体器件可包括形成在半导体晶片上的集成电路。可替换地，半导体器件可被形成为单片器件，例如分立器件。半导体器件通过以下步骤来形成在半导体晶片上：将许多类型的材料薄膜沉积在半导体晶片上方，图案化材料薄膜，对半导体晶片的选择区进行掺杂等。

在常规的半导体制造工艺中，大量的半导体器件被制造在单个晶片中。在制造的预备阶段，场氧被生长并图案化，以在覆盖周边区的同时敞开有源区。可替换地，可以形成其它类型的隔离区，以形成有源区。敞开的有源区被处理，例如被掺杂有掺杂剂以形成器件区。特别是，在这样的处理中，有源区的形成先于任何其它处理，以形成器件区。在完成器件级别和互连级别的制造工艺之后，在晶片上的半导体器件被分离。例如，晶片可能经受分割。在分割期间，晶片被机械地处理且半导体器件被物理地分离，以形成各个管芯。

发明内容

根据本发明的实施例，用于形成半导体器件的方法包括形成在衬底中的器件区。器件区从衬底的一个侧壁连续地延伸到衬底的相对侧壁。方法还包括形成在衬底中的沟槽。沟槽将器件区划分成多个有源区。方法还包括通过沿着沟槽分离衬底来分割衬底。

根据本发明的实施例，用于形成半导体器件的方法包括在使用有源掩模步骤之前在衬底中形成器件区。在形成器件区之后，沿着衬底中的切割道形成间隙。间隙将器件区划分成多个有源区。使用该间隙，衬底被分割。

根据本发明的实施例，半导体器件包括从衬底的一个侧壁延伸到另一个侧壁的器件区。侧壁具有第一部分和第二部分，所述第二部分通过平行于衬底的主要表面的次要表面来与第一部分偏移。绝缘衬里沿着侧壁的第一部分的顶部部分延伸。次要表面保持为暴露的。

附图说明

为了更完全理解本发明以及其优点，现在结合附图参考下面的描述，在所述附图中：

包括图1A和1B的图1图示了根据本发明的实施例制造的半导体器件，其中图1A图示了横截面视图，而图1B图示了顶视图；

包括图2A和2B的图2图示了根据本发明的实施例的在制造的最初阶段期间的半导体衬底，其中图2A图示了衬底的一部分的横截面视图，而图2B图示了衬底的顶视图；

图3图示了根据本发明的实施例的在随后的处理阶段期间在形成前侧器件区之后的半导体器件的一部分的横截面区域；

包括图4A和4B的图4图示了根据本发明的实施例的在随后的处理阶段期间在形成沟槽之后的半导体器件，其中图4A图示了半导体器件的一部分的横截面区域，且图4B图示了顶视图；

图5图示了根据本发明的实施例的在随后的处理阶段期间在沟槽上方沉积绝缘衬里之后的半导体器件；

图6图示了根据本发明的实施例的在随后的处理阶段期间在从沟槽的底部表面蚀刻绝缘衬里之后的半导体器件；

图7图示了根据本发明的实施例的在随后的处理阶段期间在形成衬底下面的背侧触点之后的半导体器件；

图8图示了根据本发明的实施例的在随后的处理阶段期间在分割之后的半导体器件；

图9图示了根据本发明的替换实施例的在处理阶段期间在形成前侧器件区之后的半导体器件的横截面视图；

图10图示了根据本发明的替换实施例的在处理阶段期间在形成前侧金属化之后的半导体器件的横截面视图；

图11图示了根据本发明的替换实施例的在处理阶段期间在各向异性蚀刻工艺之后的半导体器件的横截面视图；

图12图示了根据本发明的替换实施例的在处理阶段期间在形成前侧金属化之后的半导体器件的横截面视图；

图13图示了根据本发明的替换实施例的在衬底的背侧减薄之后的处理期间的半导体器件的横截面视图；

图14图示了根据本发明的第二替换实施例的在衬底中形成深沟槽之后的处理期间的半导体器件的横截面视图；

图15图示了根据本发明的第二替换实施例的在形成最后覆盖深沟槽的侧壁的顶部部分的绝缘衬里之后的处理期间的半导体器件的横截面视图；

图16图示了根据本发明的第三替换实施例的在形成衬底内的“V形”凹槽之后的处理期间的半导体器件的横截面视图；

图17图示了根据本发明的第三替换实施例的在形成衬底内的“V形”凹槽的顶部部分上方的绝缘衬里之后的处理期间的半导体器件的横截面视图；

图18图示了根据本发明的第三替换实施例的在减薄衬底之后的半导体器件的横截面视图；