[发明专利]半导体装置

权利要求书

1.一种半导体装置，具备：

第一导电型的第一半导体层；

第一电极，设置在所述第一半导体层之上；

第二电极，沿着从所述第一电极朝向所述第一半导体层的第一方向延伸，具有位于所述第一半导体层中的第一端和与所述第一电极相接的第二端；

第三电极，沿着所述第一方向延伸，具有位于所述第一半导体层中的第一端和与所述第一电极相接的第二端；

第二导电型的第二半导体层，在所述第二电极与所述第三电极之间设置在所述第一半导体层上；

第二导电型的第三半导体层，设置在所述第一半导体层与所述第二电极之间、以及所述第一半导体层与所述第三电极之间；

第一绝缘膜，设置在所述第二电极与所述第三半导体层的一方之间、以及所述第三电极与所述第三半导体层的另一方之间；

第一导电型的第四半导体层，设置在所述第二半导体层上，与所述第一电极电连接；以及

第四电极，穿过所述第四半导体层及所述第二半导体层而延伸到所述第一半导体层中，与所述第四半导体层、所述第二半导体层及所述第一半导体层之间隔有第二绝缘膜。

2.如权利要求1所述的半导体装置，

所述第一半导体层具有第一层和第二层，该第二层设置在所述第一层与所述第二半导体层之间，并且该第二层的第一导电型的杂质浓度比所述第一层高，

所述第一电极的第一端位于所述第一层中。

3.如权利要求1所述的半导体装置，

所述第一半导体层在与所述第二半导体层相反的一侧具有第一面，

所述第四电极具有位于所述第一半导体层中的第一端和与所述第一端相反一侧的第二端，

所述第一面与所述第四电极的所述第一端之间的距离，比所述第一面与所述第二电极及第三电极各自的所述第一端之间的距离长。

4.如权利要求3所述的半导体装置，

所述第一半导体层具有第一层和第二层，该第二层设置在所述第一层之上，并且该第二层的第一导电型的杂质浓度比所述第一层更高，

所述第二电极及所述第三电极的第一端位于所述第一层中，所述第四电极的第一端位于所述第二层中。

5.如权利要求3所述的半导体装置，

所述第一面与所述第四电极的第二端之间的距离，比所述第一面与所述第四半导体层之间的距离长。

6.如权利要求1所述的半导体装置，

所述第四半导体层具有与所述第一电极相接的表面。

7.如权利要求1所述的半导体装置，

所述第三半导体层沿着所述第一绝缘膜延伸，并与所述第二半导体层连接。

8.如权利要求1所述的半导体装置，

在所述第三半导体层与所述第一电极之间隔有所述第二半导体层，

所述第三半导体层与所述第一电极不相接。

9.如权利要求1所述的半导体装置，

还具备第三绝缘膜，设置在所述第一电极与所述第四电极之间。

10.如权利要求1所述的半导体装置，

所述第三半导体层中包含的第二导电型的杂质的总量与所述第一半导体层及所述第三半导体层中包含的第一导电型的杂质的总量相同。

11.如权利要求1所述的半导体装置，

所述第一电极是金属，所述第二电极及所述第三电极是多晶硅。