[发明专利]具有潜在荧光材料的四苯乙烯四三唑高氯酸镉配合物及其制备方法

权利要求书

1.四苯乙烯四三唑高氯酸镉配合物{[Cd(L)(H₂O)₂](ClO₄)₂·3.5DMF·0.5H₂O} (1)的结构基元其中L = 1,1,2,2-四[4-(1H-1,2,4-三氮唑-1-基)苯基]乙烯，DMF = N,N'-二甲基甲酰胺。

2.权利要求1所述四苯乙烯四三唑高氯酸镉配合物的单晶，其特征在于该单晶结构采用APEX II CCD单晶衍射仪，使用经过石墨单色化的Mokα射线(λ = 0.71073 ?)为入射辐射，以ω-2θ扫描方式收集衍射点，经过最小二乘法修正得到晶胞参数，从差值傅立叶电子密度图利用软件解出单晶数据：

表1. 配合物1的晶体学数据

                                                                                                       

  。

3.权利要求1所述四苯乙烯四三唑高氯酸镉配合物{[Cd(L)(H₂O)₂](ClO₄)₂·3.5DMF·0.5H₂O} (1) (L = 1,1,2,2-四[4-(1H-1,2,4-三氮唑-1-基)苯基]乙烯，DMF = N,N'-二甲基甲酰胺)的制备方法，其特征在于它是采用“常温挥发法”，即L和Cd(ClO₄)₂·6H₂O在CHCl₃、CH₃OH、水和DMF的混合溶剂中搅拌半小时后过滤，滤液常温挥发两周以制备该配合物

 

L。

4.权利要求1所述四苯乙烯四三唑高氯酸镉配合物{[Cd(L)(H₂O)₂](ClO₄)₂·3.5DMF·0.5H₂O} (1) (L = 1,1,2,2-四[4-(1H-1,2,4-三氮唑-1-基)苯基]乙烯，DMF = N,N'-二甲基甲酰胺)作为潜在的荧光材料方面的应用。