[发明专利]一种P型透明Ca3Co4O9导电薄膜的制备方法有效
| 申请号： | 201510089087.9 | 申请日： | 2015-02-27 |
| 公开（公告）号： | CN104630716B | 公开（公告）日： | 2017-10-31 |
| 发明（设计）人： | 孙丽卿;王淑芳;闫国英;傅广生;李晓苇 | 申请（专利权）人： | 河北大学 |
| 主分类号： | C23C14/28 | 分类号： | C23C14/28;C23C14/06;C23C14/58 |
| 代理公司： | 石家庄元汇专利代理事务所(特殊普通合伙)13115 | 代理人： | 王琪 |
| 地址： | 071000 河北*** | 国省代码： | 河北;13 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 透明 ca3co4o9 导电 薄膜 制备 方法 | ||
【权利要求书】：
1.一种P型透明Ca3Co4O9导电薄膜的制备方法,其特征在于：本方法步骤中包括：
A、陶瓷靶材的制备
利用高温固相反应法烧结Ca3Co4O9陶瓷靶材，所述的高温固相反应法烧结过程为将CaCO3、Co3O4按钙与钴的摩尔比3:4称量，再经过混合、研磨、压片成型后，在850-950℃的管式高温退火炉内预烧结8-12小时；
B、脉冲激光沉积薄膜
将得到的靶材放入PLD腔体，通过脉冲激光沉积技术在单晶基底上生长c轴取向的Ca3Co4O9预制薄膜，所述的脉冲激光沉积技术的激光频率1-10Hz，激光能量密度1.5-3mJ/cm2，本底真空10-4-10-5Pa，氧压1×10-2-80Pa，基底温度600-700℃，基底和靶材距离40-60mm；所述的单晶基底为c轴取向的Al2O3、LaAlO3、或SrTiO3单晶薄片；
C、高纯氧气氛围高温退火
将预制薄膜放在管式高温炉中进行退火处理，退火温度为780-820℃、时间为1-2小时，退火时需向炉中通入流动的纯度为99.99％的氧气，氧压0.8-1大气压。
2.根据权利要求1所述的一种P型透明Ca3Co4O9导电薄膜的制备方法，其特征在于：所述的CaCO3和Co3O4的纯度均为99.99％。
3.根据权利要求1所述的一种P型透明Ca3Co4O9导电薄膜的制备方法，其特征在于：所述的预烧结过程可重复2-4次。
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