[发明专利]一种P型透明Ca3Co4O9导电薄膜的制备方法有效

专利信息
申请号: 201510089087.9 申请日: 2015-02-27
公开(公告)号: CN104630716B 公开(公告)日: 2017-10-31
发明(设计)人: 孙丽卿;王淑芳;闫国英;傅广生;李晓苇 申请(专利权)人: 河北大学
主分类号: C23C14/28 分类号: C23C14/28;C23C14/06;C23C14/58
代理公司: 石家庄元汇专利代理事务所(特殊普通合伙)13115 代理人: 王琪
地址: 071000 河北*** 国省代码: 河北;13
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摘要:
搜索关键词: 一种 透明 ca3co4o9 导电 薄膜 制备 方法
【说明书】:

技术领域

发明属于功能薄膜材料技术领域,具体地说是一种P型透明Ca3Co4O9导电薄膜的制备方法。

背景技术

从平板液晶显示器、薄膜晶体管制造、太阳能电池透明电极以及火车飞机用玻璃除霜到建筑物幕墙玻璃,透明导电氧化物薄膜的应用十分广泛。目前研究主要集中在ZnO,In2O3,SnO2及其掺杂体系SnO2:Sb,SnO2:F,In2O3:Sn(ITO),ZnO:A1(AZO)等,但上述这些材料都属于n型TCO材料。虽然在ZnO等体系中可通过一定工艺制备出p型TCO材料,但其导电性与n型TCO相差甚远且制备工艺的稳定性和重复性均需大幅度提高。因此,制备出性能优越、工艺条件稳定、重复性好的p型TCO薄膜材料,对研发基于P型TCO材料设计制作的新型透明p-n结、透明晶体管、透明场效应管等透明光电子器件具有非常重要的意义。

发明内容

本发明为了提供一种p型TCO薄膜材料,设计了一种P型透明Ca3Co4O9导电薄膜的制备方法,本方法制备的透明Ca3Co4O9导电薄膜具有高的载流子浓度和较宽的禁带宽度,因而表现出很好的光电性能,如较低的电阻率和较高的可见光透过率,实验结果可重复、工艺稳定性好。

为了实现上述目的,本发明所采取的技术手段是:一种P型透明Ca3Co4O9导电薄膜的制备方法,关键在于:本方法步骤中包括:

A、陶瓷靶材的制备

利用高温固相反应法烧结Ca3Co4O9陶瓷靶材;

B、脉冲激光沉积薄膜

将得到的靶材放入PLD腔体,通过脉冲激光沉积技术在单晶基底上生长c轴取向的Ca3Co4O9预制薄膜;

C、高纯氧气氛围高温退火

将预制薄膜放在管式高温炉中进行退火处理,退火温度为780-820℃、时间为1-2小时,退火时需向炉中通入流动的纯度为99.99%的氧气,氧压0.8-1大气压。

所述的高温固相反应法烧结过程为将CaCO3、Co3O4按钙与钴的摩尔比3:4称量,再经过混合、研磨、压片成型后,在850-950℃的电阻炉内预烧结8-12小时。

所述的CaCO3和Co3O4的纯度均为99.99%。

所述的预烧结过程可重复2-4次。

步骤B中所述的脉冲激光沉积技术的激光频率1-10Hz,激光能量密度1.5-3mJ/cm2,本底真空10-4-10-5Pa,氧压1×10-2-80Pa,基底温度600-700℃,基底和靶材距离40-60mm。

步骤B中所述的单晶基底为c轴取向的Al2O3、LaAlO3、或SrTiO3单晶薄片。

本发明的有益效果是:其一,工艺稳定性好、样品重复率高;其二,制备的p型透明Ca3Co4O9导电薄膜结晶质量好,沿c轴方向取向生长且不含任何杂相;其三,制备的p型透明Ca3Co4O9导电薄膜具有较高的电导率和可见光透过率,光电品质因子高。

附图说明

图1是对制得的透明Ca3Co4O9导电薄膜使用D8型X-射线衍射仪测试后 得到的XRD图谱。

图2是透明Ca3Co4O9导电薄膜的透射光谱,图中横坐标为波长,纵坐标为透过率。

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