[发明专利]一种快速检测黑心片的方法有效

专利信息
申请号: 201510089111.9 申请日: 2015-02-27
公开(公告)号: CN104677953B 公开(公告)日: 2018-01-30
发明(设计)人: 梁玲;赵科巍;罗晓斌;董皓;张之栋;王莹 申请(专利权)人: 山西潞安太阳能科技有限责任公司
主分类号: G01N27/20 分类号: G01N27/20
代理公司: 太原市科瑞达专利代理有限公司14101 代理人: 李富元
地址: 046000 山*** 国省代码: 山西;14
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摘要:
搜索关键词: 一种 快速 检测 黑心 方法
【说明书】:

技术领域

发明涉及硅棒切片检测领域,具体是涉及一种快速检测黑心片的方法。

背景技术

由于工艺、设备、辅材或操作的各种问题使单晶硅棒在生产过程当中或多或少的产生一部分黑心片,黑心片在后期电池片的生产上会带来一定程度的效率损失。目前采用检测黑心片的主要方法是采用进口仪器:WT-2000或者WT2000pvn系列检测设备,采用整面测试,通过硅料切片整面的少子寿命分布图来完成黑心片的检测与判断,此检测方法优点是直观,可以通过检测图像一目了然的看出黑心片的存在,但是缺点是速度慢,环境要求高,检测一片需要5到20分钟时间,在大规模快速检测上存在一定局限性,检测成本较高。

发明内容

本发明所要解决的技术问题是:如何提供一种简单快速检测黑心片的方法。

本发明所采用的技术方案是:一种快速检测黑心片的方法,按照如下步骤进行:

步骤一、将待测硅棒进行切片;

步骤二、硅棒切片的电阻率,低于临界值的为合格产品,高于临界值的产品为不合格产品。

作为一种优选方案:将硅棒切片一面紧贴金属板,硅棒切片、金属板、电源、电流表、金属探针形成一个串联回路,探针放置于硅棒切片另一面上,通过探针测量硅棒切片多个位置硅棒切片电阻率,计算硅棒切片多个位置的电阻率高于临界值的比率,如果比率小于等于10%,该硅棒切片为良好切片,如果比率大于10%,小于等于40%,该硅棒切片为轻微黑心片,如果比率大于40%,该硅棒切片为严重黑心片。

作为一种优选方案:金属探针有多根,金属探针在5mm的半径圆上,组成三个探针同心圆,金属探针通过探针固定装置固定,每个探针都串联一个电流表,然后和硅棒切片、金属板、电源构成一个闭合回路,电流表都信号连接处理装置,处理装置连接显示屏。

作为一种优选方式,硅棒切片的电阻率测量过程通过一种快速检测黑心片装置完成:包括机架、安装在机架上的夹紧装置,夹紧装置上一端安装一块金属板,另一端安装一个探针固定装置,探针固定装置上安装有多根金属探针,金属探针集中在5mm的半径圆上,每个探针都串联一个电流表,然后和硅棒切片、金属板、电源构成一个闭合回路,电流表都信号连接处理装置,处理装置连接显示屏;使用过程中把夹紧装置打开,放入硅棒切片合上夹紧装置,然后通过显示屏观察,硅棒切片按照良好切片、轻微黑心片、严重黑心片进行分类。

本发明的有益效果是:本发明能够快速简便的区别黑心片,节省了成本,提高了工作效率;对环境要求不是很高,可以采用现场生产现场测试的方法,降低了测试周期;节省材料,降低能源消耗。

附图说明

图1是本发明的硅棒切片良好切片硅片少子寿命分布图;

图2是本发明的硅棒切片轻微黑心片硅片少子寿命分布图;

图3是本发明的硅棒切片严重黑心片硅片少子寿命分布图;

图4探针固定装置上探针分布图;

图1、2、3中颜色越深代表电阻越大。

图中,1、探针,2、外圈同心圆,3、中间同心圆,4、内圈同心圆。

具体实施方式

将待测硅棒进行切片,切片的厚度为3-5mm。

将硅棒切片放入快速检测黑心片装置进行硅棒切片的电阻率,低于临界值的为合格产品,高于临界值的产品为不合格产品。临界值电阻率一般取6.0。

快速检测黑心片装置包括机架、安装在机架上的夹紧装置,夹紧装置上一端安装一块金属板,另一端安装一个探针固定装置(如图4所示),探针固定装置上安装有多根金属探针,金属探针集中在5mm的半径圆上,金属探针组成3个同心圆,同心圆上的探针沿圆周均匀分布,每个探针都串联一个电流表,然后和硅棒切片、金属板、电源构成一个闭合回路,电流表都信号连接处理装置,处理装置连接显示屏;使用过程中把夹紧装置打开,放入硅棒切片合上夹紧装置,然后通过显示屏观察,硅棒切片按照良好切片、轻微黑心片、严重黑心片进行分类。处理装置为一块处理芯片,计算硅棒切片多个位置的电阻率高于临界值的比率,如果比率小于等于10%,该硅棒切片为良好切片,如果比率大于10%,小于等于40%,该硅棒切片为轻微黑心片,如果比率大于40%,该硅棒切片为严重黑心片。

利用硅片全功能扫描仪(WT-2000PVN)对分类的硅片进行扫描,如图1、图2、图3所示,得出硅片少子寿命分布图,即B—O复合体的路线图同心圆(黑心片图)。主要测试硅片少子寿命大小及在整个硅片表面的分布图。同时观察黑心片的存在状况。

将所测硅片的少子寿命与电阻率与分布图进行对应,找出合格片与不合格片电阻率的临界值,做好记录。结果发现本发明方法测量准确。

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