[发明专利]衬底处理装置、半导体器件的制造方法及记录介质

权利要求书

1.一种衬底处理装置，包括：

处理空间，对载置于衬底载置台的衬底载置面上的衬底进行处理；

气体供给系统，从与所述衬底载置面相对的一侧向所述处理空间内供给气体；

排气缓冲室，其构成为至少具有连通孔、气流阻断壁、设于所述连通孔与所述气流阻断壁之间的上壁和作为底壁的分隔板，所述连通孔在所述处理空间的侧方与该处理空间连通，所述气流阻断壁在将通过所述连通孔的气流阻断的方向上延伸、并设置在与所述连通孔相对的同所述处理空间相反方向的位置；以及

第一加热部，设于所述气流阻断壁、所述上壁或底壁，将所述上壁或底壁加热到规定温度，并以比所述规定温度高的温度对所述气流阻断壁的至少内壁面加热。

2.根据权利要求1所述的衬底处理装置，其中，包括：

设于所述衬底载置台的第二加热部；以及

控制部，其被构成为：在向所述处理空间内供给处理气体的期间，以对所述第一加热部和所述第二加热部进行加热的方式控制所述气体供给系统、所述第一加热部和所述第二加热部。

3.根据权利要求1所述的衬底处理装置，其中，包括：

设于所述衬底载置台的第二加热部；以及

控制部，其被构成为：以使所述第一加热部被加热为比所述第二加热部高的温度的方式，控制所述第一加热部和所述第二加热部。

4.根据权利要求2所述的衬底处理装置，其中，

所述控制部以使所述第二加热部的温度成为所述处理气体不会被分解的温度的方式控制所述第二加热部。

5.根据权利要求2所述的衬底处理装置，其中，

所述控制部以使所述第一加热部的温度成为所述处理气体会分解的温度的方式控制所述第一加热部。

6.根据权利要求4所述的衬底处理装置，其中，

所述控制部以使所述第一加热部的温度成为所述处理气体会分解的温度的方式控制所述第一加热部。

7.根据权利要求2所述的衬底处理装置，其中，

包括具有第三加热部的排气配管，

所述控制部在向所述处理空间内供给处理气体的期间，将所述第一加热部控制为比所述第三加热部高的温度。

8.根据权利要求2所述的衬底处理装置，其中，

包括具有第三加热部的排气配管，

所述控制部在向所述处理空间内供给处理气体的期间，以达到在所述排气配管中流动的气体不会附着于所述排气配管内的温度的方式控制所述第三加热部。

9.一种半导体器件的制造方法，包括如下工序：

在配置于处理空间的衬底载置台的衬底载置面上载置衬底；

排气缓冲室被构成为具有连通孔、气流阻断壁、设于所述连通孔与所述气流阻断壁之间的上壁、设于所述上壁的下方的底壁、以及设于所述气流阻断壁、所述上壁或底壁的第一加热部，所述连通孔在所述处理空间的侧方与该处理空间连通，所述气流阻断壁在将通过所述连通孔的气流阻断的方向上延伸、并设置在与所述连通孔相对的同所述处理空间相反方向的位置，一边将所述排气缓冲室中的所述上壁或所述底壁加热到规定温度，并以比所述规定温度高的温度加热所述气流阻断壁，一边从与所述衬底载置面相对的一侧向所述处理空间内供给气体。

10.根据权利要求9所述的半导体器件的制造方法，其中，

在所述衬底载置台设有第二加热部，

所述半导体器件的制造方法包括如下工序：在向所述处理空间内供给处理气体的期间，使所述第一加热部加热为比所述第二加热部高的温度。