[发明专利]衬底处理装置、半导体器件的制造方法及记录介质

说明书

本发明涉及衬底处理装置、半导体器件的制造方法及记录介质。提供一种即使在利用排气缓冲室进行气体排气的情况下也能形成良好特性的膜的技术。衬底处理装置，包括：处理空间，对载置于衬底载置台的衬底载置面上的衬底进行处理；气体供给系统，从与所述衬底载置面相对的一侧向所述处理空间内供给气体；排气缓冲室，其构成为至少具有连通孔和气流阻断壁，所述连通孔在所述处理空间的侧方与该处理空间连通，所述气流阻断壁在将通过所述连通孔的气流阻断的方向上延伸；以及第一加热部，设于所述气流阻断壁。

技术区域

本发明涉及衬底处理装置、半导体器件的制造方法及记录介质。

背景技术

通常，在半导体器件的制造工序中，使用对晶片等衬底进行成膜处理等工艺处理的衬底处理装置。作为衬底处理装置，随着衬底的大型化、工艺处理的高精度化等，每次处理一片衬底的单片式装置逐渐普及。

在单片式装置中，为了提高气体的使用效率，是例如从衬底处理面的上方供给气体，从衬底的侧方将气体排气的结构。设置有用于在从侧方排气时使排气均匀的缓冲室。

在上述的排气缓冲室被供给残留气体等，存在由于该残留气体而在缓冲室的壁附着膜的隐患。这样的膜在处理室中逆向生长，可能会对衬底的膜特性等带来不良影响。

发明内容

因此，本发明的目的在于提供一种即使在利用排气缓冲室进行气体排气的情况下，也能形成良好特性的膜的技术。

根据本发明的一方案，提供如下技术：

提供一种衬底处理装置，包括：处理空间，对载置于衬底载置台的衬底载置面上的衬底进行处理；气体供给系统，从与所述衬底载置面相对的一侧向所述处理空间内供给气体；排气缓冲室，其构成为至少具有连通孔和气流阻断壁，所述连通孔在所述处理空间的侧方与该处理空间连通，所述气流阻断壁在将通过所述连通孔的气流阻断的方向上延伸；以及第一加热部，设于所述气流阻断壁。

根据本发明，即使在利用排气缓冲室进行气体排气的情况下，也能形成良好特性的膜。

附图说明

图1是本发明的一实施方式的单片式的衬底处理装置的概略构成图。

图2是示意性表示图1的衬底处理装置中的排气缓冲室的整体形状的一具体例的立体图。

图3是示意性表示图1的衬底处理装置中的排气缓冲室的截面形状的一具体例的侧剖视图。

图4是表示本发明的一实施方式的衬底处理工序及清洁工序的流程图。

图5是表示图4的成膜工序的详情的流程图。

图6是示意性表示图2的排气缓冲室的整体形状的另一实施方式的立体图。

附图标记的说明

100、半导体制造装置；200、晶片(衬底)；201、处理空间；209、排气缓冲室；209a、加热器；209b、气流阻断壁；209c、连通孔；211、衬底载置面；222、第二排气管；230、簇射头；242、共用气体供给管；249、加热器控制部。

具体实施方式

＜本发明的一实施方式＞

以下，参照附图说明本发明的一实施方式。

(1)衬底处理装置的构成

本实施方式的衬底处理装置构成为对作为处理对象的衬底每一次处理一片衬底的单片式衬底处理装置。