[发明专利]指纹锁识别模组封装结构有效
申请号: | 201510091440.7 | 申请日: | 2015-02-28 |
公开(公告)号: | CN104681523B | 公开(公告)日: | 2018-07-13 |
发明(设计)人: | 黄双武;赖芳奇;王邦旭;吕军;刘辰 | 申请(专利权)人: | 苏州科阳光电科技有限公司 |
主分类号: | H01L23/488 | 分类号: | H01L23/488;H01L23/48;G06K9/00 |
代理公司: | 苏州创元专利商标事务所有限公司 32103 | 代理人: | 马明渡;王健 |
地址: | 215143 江苏省苏州市*** | 国省代码: | 江苏;32 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | |||
搜索关键词: | 锥形盲孔 指纹识别芯片 盲孔 模组封装结构 数据处理芯片 金钯合金层 镍金属层 增厚部 指纹锁 焊盘 晶圆级芯片封装 产品可靠性 技术整合 陶瓷盖板 由外向内 工艺流程 电连接 硅通孔 铝焊垫 铝焊盘 上表面 下表面 凸起 相背 延伸 覆盖 | ||
本发明公开一种指纹锁识别模组封装结构,包括指纹识别芯片、陶瓷盖板、PCB板和数据处理芯片,PCB板和数据处理芯片均电连接指纹识别芯片;指纹识别芯片下表面并与盲孔相背区域由外向内依次具有第一锥形盲孔、第二锥形盲孔,第二锥形盲孔位于第一锥形盲孔的底部,所述第一锥形盲孔、第二锥形盲孔的截面为锥形,第二锥形盲孔底部为指纹识别芯片的铝焊盘,盲孔内铝焊垫表面依次覆盖有镍金属层、金钯合金层,此镍金属层从盲孔中部延伸至指纹识别芯片上表面并形成凸起,形成焊盘增厚部,所述金钯合金层位于焊盘增厚部的表面。本发明将晶圆级芯片封装和硅通孔技术整合后形成一套新的工艺流程,大幅度提高了产品可靠性,减少了厚度,使产品总厚度大大降低。
技术领域
本发明涉及一种指纹识别模组封装结构,属于半导体封装技术领域。
背景技术
在指纹芯片的先进封装工艺方面,在美国苹果公司的iPhone5S及其配套的TouchID指纹识别技术发布后,其公布了一种全新的指纹识别技术发布后,其公布了一种全新的指纹识别芯片,其采用了先使用晶圆级封装技术在每颗芯片的侧边进行挖槽,并重做焊垫,后期使用公知的低弧高(low loop height)焊线技术完成模组封装,以减少模组高度,是混合了晶圆级封装和传统封装的过渡性技术。苹果公司专利文本公布的Touch ID封装结构,采用焊线方式实现,只是在芯片表面上进行了挖槽,以降低焊线后模组高度,因此在先进指纹芯片的封装技术上,目前市场上还未看到真正采用晶圆级TSV封装技术的指纹识别芯片封装形式和专利。
如何将现有影像传感器芯片的晶圆级封装技术,重新针对指纹识别芯片封装的具体规格要求,开发全新的成套封装工艺,为指纹识别芯片封装应用拓展了新的技术方向,成为本领域普通技术人员努力的方向。
发明内容
本发明目的是提供一种指纹锁识别模组封装结构,该指纹锁识别模组封装结构将晶圆级芯片封装和硅通孔技术整合后形成一套新的工艺流程,直接省去传统封装打线步骤,减少了holder和FPC等厚度,使产品总厚度大大降低,该技术的使用使得0.5mm的封装体内可以有0.4mm的实心体,有利于满足工业设计造型并实现足够的产品强度,最终大幅度提高了产品可靠性。
为达到上述目的,本发明采用的技术方案是:一种指纹锁识别模组封装结构,包括指纹识别芯片、陶瓷盖板、PCB板和数据处理芯片,所述指纹识别芯片的感应区与陶瓷盖板之间设置有高介电常数层,所述PCB板和数据处理芯片均电连接指纹识别芯片;
所述指纹识别芯片上表面分布有若干个盲孔,所述指纹识别芯片的盲孔内具有铝焊盘,此铝焊盘从盲孔底部延伸至盲孔中部,盲孔内铝焊盘表面依次覆盖有镍金属层、金钯合金层,此镍金属层从盲孔中部延伸至指纹识别芯片上表面并形成凸起,形成焊盘增厚部,所述金钯合金层位于焊盘增厚部的表面;
所述指纹识别芯片下表面并与盲孔相背区域由外向内依次具有第一锥形盲孔、第二锥形盲孔,第二锥形盲孔位于第一锥形盲孔的底部,所述第一锥形盲孔、第二锥形盲孔的截面为锥形,第二锥形盲孔的开口小于第一锥形盲孔的开口,此第二锥形盲孔底部为指纹识别芯片的铝焊盘;
所述指纹识别芯片下表面、第一锥形盲孔、第二锥形盲孔表面具有绝缘层,所述第二锥形盲孔底部开设有若干个第三锥形盲孔,位于指纹识别芯片、第一锥形盲孔、第二锥形盲孔和第三锥形盲孔上方依次具有钛金属导电图形层、铜金属导电图形层,此钛金属导电图形层、铜金属导电图形层位于绝缘层与指纹识别芯片相背的表面,一防焊层位于铜金属导电图形层与钛金属导电图形层相背的表面,此防焊层上开有若干个通孔,一焊球通过所述通孔与铜金属导电图形层电连接;
所述PCB板和数据处理芯片均电连接指纹识别芯片的焊球,所述第三锥形盲孔贯穿所述铝焊盘并延伸至镍金属层的中部,所述金钯合金层由78~85%钯、15~22%金组成。
上述技术方案中进一步改进的方案如下:
1. 上述方案中,所述焊盘增厚部厚度为3~4微米。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于苏州科阳光电科技有限公司,未经苏州科阳光电科技有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201510091440.7/2.html,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇:QFN封装框架结构
- 下一篇:一种适合于LED照明应用的多芯片QFN封装