[发明专利]阵列基板及其制作方法、显示装置

权利要求书

1.一种阵列基板的制作方法，所述阵列基板包括设置于基板上的阵列基板行驱动GOA区域，其特征在于，所述制作方法包括：

在所述GOA区域形成连通多个同层设置的第一导电图形、以将所述第一导电图形上积累的静电释放的导电连接部；

在形成有所述第一导电图形的基板上形成绝缘层之后，去除所述导电连接部的至少一部分，使得所述多个第一导电图形之间相互绝缘；

所述去除所述导电连接部的至少一部分包括：

在所述绝缘层上形成第二导电图形时，断开所述导电连接部；

所述第一导电图形为采用栅金属层形成，所述导电连接部为采用第三导电层形成，第三导电层与栅金属层为不同层；或

所述第一导电图形为采用源漏金属层形成，所述导电连接部为采用第三导电层形成，第三导电层与源漏金属层为不同层。

2.根据权利要求1所述的阵列基板的制作方法，其特征在于，形成连通多个同层设置的第一导电图形的导电连接部包括：

通过同一次构图工艺形成所述第一导电图形和所述导电连接部。

3.根据权利要求2所述的阵列基板的制作方法，其特征在于，所述第一导电图形为采用栅金属层形成，所述导电连接部为采用第三导电层形成，所述通过同一次构图工艺形成所述第一导电图形和所述导电连接部包括：

依次沉积第三导电层和栅金属层，并在所述栅金属层上涂覆光刻胶；

采用半色调掩膜板或灰色调掩膜板对光刻胶进行曝光，使光刻胶形成光刻胶未保留区域、光刻胶部分保留区域和光刻胶完全保留区域，其中光刻胶保留区域对应第一导电图形，光刻胶保留区域和光刻胶部分保留区域对应导电连接部的图形，光刻胶未保留区域对应于上述图形以外的区域；

进行显影处理，光刻胶未保留区域的光刻胶被完全去除，光刻胶部分保留区域保留部分光刻胶，光刻胶完全保留区域的光刻胶厚度保持不变，通过刻蚀工艺刻蚀掉光刻胶未保留区域的栅金属层和第三导电层，形成导电连接部的图形；

灰化掉光刻胶部分保留区域的光刻胶，通过刻蚀工艺刻蚀掉光刻胶部分保留区域的栅金属层，形成第一导电图形；

去除剩余的光刻胶。

4.根据权利要求2所述的阵列基板的制作方法，其特征在于，所述第一导电图形为采用源漏金属层形成，所述导电连接部为采用第三导电层形成，所述通过同一次构图工艺形成所述第一导电图形和所述导电连接部包括：

依次沉积第三导电层和源漏金属层，并在所述源漏金属层上涂覆光刻胶；

采用半色调掩膜板或灰色调掩膜板对光刻胶进行曝光，使光刻胶形成光刻胶未保留区域、光刻胶部分保留区域和光刻胶完全保留区域，其中光刻胶保留区域对应第一导电图形，光刻胶保留区域和光刻胶部分保留区域对应导电连接部的图形，光刻胶未保留区域对应于上述图形以外的区域；

进行显影处理，光刻胶未保留区域的光刻胶被完全去除，光刻胶部分保留区域保留部分光刻胶，光刻胶完全保留区域的光刻胶厚度保持不变，通过刻蚀工艺刻蚀掉光刻胶未保留区域的源漏金属层和第三导电层，形成导电连接部的图形；

灰化掉光刻胶部分保留区域的光刻胶，通过刻蚀工艺刻蚀掉光刻胶部分保留区域的源漏金属层，形成第一导电图形；

去除剩余的光刻胶。

5.根据权利要求3或4所述的阵列基板的制作方法，其特征在于，所述第三导电层为采用透明导电材料或Mo。

6.根据权利要求3或4所述的阵列基板的制作方法，其特征在于，所述第二导电图形为像素电极，所述在所述绝缘层上形成第二导电图形时，断开所述导电连接部包括：

沉积像素电极层，并在所述像素电极层上涂覆光刻胶；

采用掩膜板对光刻胶进行曝光，使光刻胶形成光刻胶未保留区域和光刻胶保留区域，其中，光刻胶保留区域对应于像素电极的图形所在区域，光刻胶未保留区域对应于上述图形以外的区域；

进行显影处理，光刻胶未保留区域的光刻胶被完全去除，光刻胶保留区域的光刻胶厚度保持不变，通过刻蚀工艺刻蚀掉光刻胶未保留区域的像素电极层和第三导电层，形成像素电极的图形；

去除剩余的光刻胶。

7.一种阵列基板，其特征在于，所述阵列基板为采用如权利要求1-6中任一项所述的制作方法制作得到。

8.一种显示装置，其特征在于，包括如权利要求7所述的阵列基板。