[发明专利]阵列基板及其制作方法、显示装置

说明书

技术领域

本发明涉及显示技术领域，特别是指一种阵列基板及其制作方法、显示装置。

背景技术

薄膜晶体管液晶显示器(Thin Film Transistor Liquid Crystal Display，TFT-LCD)具有体积小、功耗低和无辐射等特点，在当前的平板显示器市场占据了主导地位。对于TFT-LCD来说，阵列基板的结构及其制造工艺决定了产品的性能、成品率和价格。

阵列基板行驱动(Gate Driver on Array，GOA)是当前TFT-LCD中一种高技术水平设计，是直接将栅极驱动电路制作在阵列基板上，来代替由外接硅片制作的驱动芯片的一种工艺技术。GOA技术不但可以节省成本，还可以省去Gate(栅极线)方向Bonding(焊接)的工艺，降低产品工艺成本，同时还可提高面板的高集成度。

目前GOA驱动的阵列基板制造工艺主要存在着以下不足：

阵列基板的GOA区域包括诸多密集的信号线及薄膜晶体管(TFT)，由于GOA区域的布线比较密集，因此，在GOA区域存在大面积金属和金属布线间隙比较小的问题，这样阵列基板的制作过程中，在进行等离子体沉积和刻蚀工艺时，之前形成的导电图形容易发生静电击穿现象，甚至在基板传送过程中，也会发生静电击穿，导致阵列基板的良率下降。

发明内容

本发明要解决的技术问题是提供一种阵列基板及其制作方法、显示装置，能够减少阵列基板发生静电击穿的几率，提高阵列基板的良率。

为解决上述技术问题，本发明的实施例提供技术方案如下：

一方面，提供一种阵列基板的制作方法，所述阵列基板包括设置于基板上的阵列基板行驱动GOA区域，所述制作方法包括：

在所述GOA区域形成连通多个同层设置的第一导电图形、以将所述第一导电图形上积累的静电释放的导电连接部；

在形成有所述第一导电图形的基板上形成绝缘层之后，去除所述导电连接部的至少一部分，使得所述多个第一导电图形之间相互绝缘。

进一步地，所述去除所述导电连接部的至少一部分包括：

在所述绝缘层上形成第二导电图形时，断开所述导电连接部。

进一步地，形成连通多个同层设置的第一导电图形的导电连接部包括：

通过同一次构图工艺形成所述第一导电图形和所述导电连接部。

进一步地，所述第一导电图形与所述导电连接部为采用不同导电层形成。

进一步地，所述第一导电图形为采用栅金属层形成，所述导电连接部为采用第三导电层形成，所述通过同一次构图工艺形成所述第一导电图形和所述导电连接部包括：

依次沉积第三导电层和栅金属层，并在所述栅金属层上涂覆光刻胶；

采用半色调掩膜板或灰色调掩膜板对光刻胶进行曝光，使光刻胶形成光刻胶未保留区域、光刻胶部分保留区域和光刻胶完全保留区域，其中光刻胶保留区域对应第一导电图形，光刻胶保留区域和光刻胶部分保留区域对应导电连接部的图形，光刻胶未保留区域对应于上述图形以外的区域；

进行显影处理，光刻胶未保留区域的光刻胶被完全去除，光刻胶部分保留区域保留部分光刻胶，光刻胶完全保留区域的光刻胶厚度保持不变，通过刻蚀工艺刻蚀掉光刻胶未保留区域的栅金属层和第三导电层，形成导电连接部的图形；

灰化掉光刻胶部分保留区域的光刻胶，通过刻蚀工艺刻蚀掉光刻胶部分保留区域的栅金属层，形成第一导电图形；

去除剩余的光刻胶。

进一步地，所述第一导电图形为采用源漏金属层形成，所述导电连接部为采用第三导电层形成，所述通过同一次构图工艺形成所述第一导电图形和所述导电连接部包括：

依次沉积第三导电层和源漏金属层，并在所述源漏金属层上涂覆光刻胶；

采用半色调掩膜板或灰色调掩膜板对光刻胶进行曝光，使光刻胶形成光刻胶未保留区域、光刻胶部分保留区域和光刻胶完全保留区域，其中光刻胶保留区域对应第一导电图形，光刻胶保留区域和光刻胶部分保留区域对应导电连接部的图形，光刻胶未保留区域对应于上述图形以外的区域；

进行显影处理，光刻胶未保留区域的光刻胶被完全去除，光刻胶部分保留区域保留部分光刻胶，光刻胶完全保留区域的光刻胶厚度保持不变，通过刻蚀工艺刻蚀掉光刻胶未保留区域的源漏金属层和第三导电层，形成导电连接部的图形；

灰化掉光刻胶部分保留区域的光刻胶，通过刻蚀工艺刻蚀掉光刻胶部分保留区域的源漏金属层，形成第一导电图形；

去除剩余的光刻胶。

进一步地，所述第三导电层为采用透明导电材料或Mo。