[发明专利]半导体元件及其形成方法

权利要求书

1.一种半导体元件，包含：

一基底；

一介电常数小于2.5的金属间介电层于该基底上，其中该金属间介电层的材料包括掺杂碳的二氧化硅；

一富含氧四乙氧基硅烷氧化层于该金属间介电层上，其中该富含氧四乙氧基硅烷氧化层中氧的分子比率大于70百分比，该富含氧四乙氧基硅烷氧化层由四乙氧基硅烷和氧气形成；以及

一金属层设置于该富含氧四乙氧基硅烷氧化层及该金属间介电层内，其中该金属层不贯穿该金属间介电层，且该金属层的顶端表面与该富含氧四乙氧基硅烷氧化层的顶端表面共平面。

2.根据权利要求1所述的半导体元件，其中该基底包括一形成有元件或电路的半导体基底。

3.根据权利要求1所述的半导体元件，还包括一金属层覆盖在该基底上，其中该金属间介电层覆盖在该金属层上。

4.根据权利要求1所述的半导体元件，还包括一沟槽在该富含氧四乙氧基硅烷氧化层和该金属间介电层中，且该金属层覆盖在该富含氧四乙氧基硅烷氧化层上和该沟槽内。

5.根据权利要求4所述的半导体元件，还包括一金属阻障层在该金属层和该富含氧四乙氧基硅烷氧化层间，以及该金属层和该金属间介电层间。

6.一种形成半导体元件的方法，包括：

提供一基底；

沉积一介电常数小于2.5的金属间介电层于该基底上，其中该金属间介电层的材料包括掺杂碳的二氧化硅；

沉积一富含氧四乙氧基硅烷氧化层于该金属间介电层上，其中该富含氧四乙氧基硅烷氧化层中氧的分子比率大于70百分比，该富含氧四乙氧基硅烷氧化层由四乙氧基硅烷和氧气形成；以及

形成一金属层在该富含氧四乙氧基硅烷氧化层及该金属间介电层内，其中该金属层不贯穿该金属间介电层，且该金属层的顶端表面与该富含氧四乙氧基硅烷氧化层的顶端表面共平面。

7.根据权利要求6所述的形成半导体元件的方法，其中该基底包括一形成有元件或电路的半导体基底。

8.根据权利要求6所述的形成半导体元件的方法，还包括形成一金属层在该基底上，且该金属间介电层覆盖在该金属层上。

9.根据权利要求6所述的形成半导体元件的方法，还包括蚀刻该富含氧四乙氧基硅烷氧化层和该金属间介电层形成一沟槽，且该金属层覆盖于该富含氧四乙氧基硅烷氧化层上和该沟槽内。

10.根据权利要求9所述的形成半导体元件的方法，还包括形成一金属阻障层在该富含氧四乙氧基硅烷氧化层上和该沟槽内，且该金属层覆盖于该金属阻障层上。

11.根据权利要求10所述的形成半导体元件的方法，还包括研磨该金属层、该金属阻障层以及该富含氧四乙氧基硅烷氧化层。

12.根据权利要求6所述的形成半导体元件的方法，其中沉积该富含氧四乙氧基硅烷氧化层包括实施一化学气相沉积法，且沉积该富含氧四乙氧基硅烷氧化层使用在氦气载体中的四乙氧基硅烷和氧气为气体源。

13.根据权利要求6所述的形成半导体元件的方法，其中沉积该富含氧四乙氧基硅烷氧化层包括实施一等离子体增强化学气相沉积法，且沉积该富含氧四乙氧基硅烷氧化层使用在氦气载体中的四乙氧基硅烷和氧气为气体源。

14.根据权利要求12或13所述的形成半导体元件的方法，其中沉积该富含氧四乙氧基硅烷氧化层使用的四乙氧基硅烷的流率为300标准立方厘米每分钟，氧气的流率为510标准立方厘米每分钟，电源功率为450瓦，基板偏压功率为75瓦。