[发明专利]一种NAND Flash接口的访问方法及装置有效
申请号: | 201510092758.7 | 申请日: | 2015-03-02 |
公开(公告)号: | CN104750430A | 公开(公告)日: | 2015-07-01 |
发明(设计)人: | 祝博;马翼;田达海 | 申请(专利权)人: | 湖南国科微电子有限公司 |
主分类号: | G06F3/06 | 分类号: | G06F3/06 |
代理公司: | 长沙正奇专利事务所有限责任公司 43113 | 代理人: | 卢宏;王娟 |
地址: | 410125 湖南省*** | 国省代码: | 湖南;43 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 nand flash 接口 访问 方法 装置 | ||
1.一种NAND Flash接口的访问方法,其特征在于,包括以下步骤:
1)定义一系列的指令操作NAND颗粒的接口;
2)在应用层,根据要实现的NAND颗粒操作和上述定义的指令,按照NAND颗粒接口的协议准备好指令集;
3)在物理层解析指令集,驱动NAND颗粒的接口,并且控制接口时序,执行所述步骤2)中的指令集,实现NAND颗粒接口的访问。
2.根据权利要求1所述的NAND Flash接口的访问方法,其特征在于,所述定义的指令如下:
。
3.一种NAND Flash接口的访问装置,其特征在于,包括:
应用层CPU:用于根据要实现的NAND颗粒操作和定义的一系列的操作NAND颗粒的接口的指令,按照NAND颗粒接口的协议准备好指令集,并将所述指令集传送给物理层的操作码译码器;
操作码译码器:用于在物理层解析上述指令集,驱动NAND颗粒的接口,控制接口时序,并执行应用层CPU传送的指令集,实现NAND颗粒接口的访问。
4.根据权利要求3所述的NAND Flash接口的访问装置,其特征在于,所述操作码译码器与写数据缓冲器、读数据缓存器连接。
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