[发明专利]一种NAND Flash接口的访问方法及装置

说明书

技术领域

本发明涉及一种NAND Flash接口的访问方法及装置。

背景技术

NAND flash存储器(即NAND)具有容量较大，改写速度快等优点，适用于大量数据的存储，因而在业界得到了越来越广泛的应用。在一个系统中要对NAND进行读写的话，需要一个硬件控制器，把系统的读写转换成NAND颗粒定义的接口下的读写。图1是NAND颗粒的接口示意图，其中RE和DQS是差分信号。图2是系统对NAND颗粒读写的结构示意图。

随着各大NAND flash厂商的不断发展，使得NAND flash的种类繁多。从接口上看有异步接口，toggle1，toggle2，ONFI2，ONFI3这五种接口定义。toggle2和ONFI3基本一样。

图3是toggle2接口定义下，写数据进颗粒的NAND接口信号图示。图4是异步接口定义下，写数据进颗粒的NAND接口信号图示。对比可以看出，时序要求和信号的变化不一样。为了能支持访问这两种接口定义的NAND颗粒，目前的做法是在硬件逻辑设计的时候，添加对应的逻辑控制部分。在不同的NAND颗粒厂商(MICRON,HYNIX,TOSHIBA...)之间，对于相同的操作会有不同的操作流程，所以还要添加对应颗粒厂商的电路控制逻辑。如图5所示，还想支持更多的颗粒种类，就需要添加控制逻辑到硬件电路。

按照现有做法，每次需要适配新的NAND Flash接口特性时，就要往控制器芯片添加逻辑电路，使得电路设计越来越复杂，不利于维护。还可能存在不能在原设计上再添加逻辑电路支持新功能的风险。这些缺点对产品的研发会带来时间和成本上的巨大开销。

发明内容

本发明所要解决的技术问题是，针对现有技术不足，提供一种NAND Flash接口的访问方法及装置，使得芯片能够快速适应现有各种类型NAND flash颗粒，也能应对未来NAND flash发展中出现的新情况，而不用重新添加硬件来实现，节约时间和成本。

为解决上述技术问题，本发明所采用的技术方案是：一种NAND Flash接口的访问方法，包括以下步骤：

1)定义一系列的指令操作NAND颗粒的接口； 

2)在应用层，根据要实现的NAND颗粒操作和上述定义的指令，按照NAND颗粒 接口的协议准备好指令集；

3)在物理层解析指令集，驱动NAND颗粒的接口，并且控制接口时序，执行所述步骤2)中的指令集，实现NAND颗粒接口的访问。

所述定义的指令如下：