[发明专利]加速度传感器有效
| 申请号： | 201510093716.5 | 申请日： | 2015-03-03 |
| 公开（公告）号： | CN104897926B | 公开（公告）日： | 2019-09-06 |
| 发明（设计）人： | D.梅因霍尔德 | 申请（专利权）人： | 英飞凌科技股份有限公司 |
| 主分类号： | G01P15/02 | 分类号： | G01P15/02;G01L1/00 |
| 代理公司： | 中国专利代理(香港)有限公司 72001 | 代理人： | 申屠伟进;徐红燕 |
| 地址： | 德国瑙伊比*** | 国省代码： | 德国;DE |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 加速度 传感器 | ||
1.一种加速度传感器，包括：
压力感测结构，在晶片中形成，其中所述压力感测结构包括薄膜，以及
惯性质量，在所述压力感测结构上提供，所述惯性质量包括后端线结构，
其中所述薄膜在没有惯性质量的薄膜部分中具有由没有惯性质量的所述薄膜部分上覆所述晶片的非平坦表面造成的蜿蜒的形状、波动的形状或弯曲的形状中的至少一个。
2.权利要求1的所述加速度传感器，其中所述薄膜具有在5μm·5μm和30μm·30μm之间的面积。
3.权利要求1的所述加速度传感器，其中所述惯性质量包括至少一个金属层。
4.权利要求1的所述加速度传感器，其中所述惯性质量包括至少一个电介质层。
5.权利要求1的所述加速度传感器，其中所述惯性质量用金属层加帽。
6.权利要求1的所述加速度传感器，进一步包括相邻于压力感测结构在晶片中形成的进一步压力感测结构，其中所述惯性质量横跨压力感测结构和进一步压力感测结构。
7.权利要求6的所述加速度传感器，其中所述进一步压力感测结构包括薄膜。
8.一种加速度传感器，包括：
薄膜，在晶片上形成，所述薄膜通过间隙与在所述晶片中形成的进一步部分和结构分开，以及
惯性质量，覆盖所述薄膜的部分，
其中在被所述惯性质量覆盖的区域外的所述薄膜的部分具有由没有惯性质量的薄膜部分上覆所述晶片的非平坦表面造成的蜿蜒的、波动的或弯曲的形状中的至少一个。
9.权利要求8的所述加速度传感器，其中所述惯性质量包括后端线结构。
10.权利要求8的所述加速度传感器，进一步包括元件，所述元件在没有惯性质量的所述薄膜部分下在晶片上形成以造成蜿蜒的、波动的或弯曲的形状中的所述至少一个。
11.权利要求10的所述加速度传感器，其中所述元件是前端线结构。
12.权利要求10的所述加速度传感器，其中所述元件由多晶硅构成。
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