[发明专利]加速度传感器

说明书

本发明涉及加速度传感器。公开了各种加速度传感器。在一些情形中，惯性质量可以在后端线（BEOL）期间形成。在其它情形中，薄膜可以具有弯曲、波动或蜿蜒的形状。在又其它实施例中，惯性质量可以横跨两个或更多个压力感测结构。

技术领域

本申请涉及加速度传感器以及对应的方法。

背景技术

加速度传感器被用于比如在汽车领域中的许多应用。在一些实施例中，加速度传感器可以简单地被用作“唤醒传感器”以检测车辆像汽车何时开始移动或达到某一速度并且响应于经由加速度检测到移动来激活其它传感器或部件。

在一些情形中，可能需要加速度传感器连同压力传感器比如用于胎压监测系统（TPMS）应用。在这样的传感器组合的一些传统实现中，压力传感器和加速度传感器被分开制造，或使用分开的结构（比如在晶片内形成的不同结构化的微机电系统（MEMS）部分）来集成。

附图说明

图1是依据实施例的加速度传感器的框图。

图2是依据实施例的用于制造加速度传感器的方法。

图3A和3B示出依据实施例的可以形成加速度传感器的基础的压力传感器的示意横截面视图。

图4示出在图3A和3B的压力传感器的基础上制造的依据实施例的加速度传感器的示意横截面视图。

图5示出依据实施例的加速度传感器的示意横截面视图。

图6示出依据进一步实施例的加速度传感器的示意横截面视图。

具体实施方式

在下面，参考附图将详细描述各种图解的实施例。应当指出这些实施例仅用作示例并且不要被理解为限制。

比如尽管可以描述包括多个特征或要素的实施例，但是在其它实施例中这些特征或要素中的一些可以被省略和/或被替选的要素取代。而且，在一些实施例中，除了示出和描述的特征或要素之外的附加的特征或要素可以被实施。来自不同实施例的特征或要素可以彼此组合，除非另外明确地指出。

任何方向性的术语仅仅被用来容易地指示附图中的部分或方向，并且不暗示实施例的实施方式的特定定向。

集成电路或其它半导体器件的制备经常被归类成包括前端线（front-end-of-line）（FEOL）和后端线（back-end-of-line）（BEOL）的至少两个阶段。在BEOL之后可以附加地存在后端工艺，其也被称为后加工（post fab）。如在该申请中使用的FEOL可以指定制备的第一阶段，其中比如用于微机电系统（MEMS）的机械结构和/或电阻器、电容器、晶体管（包含例如栅极形成）的单独器件在半导体晶片中被图案化。因此FEOL可以覆盖直到但不包含金属互连层的沉积的每件事。比如对于制造CMOS元件，FEOL可以包括：选择要被使用的晶片的类型、晶片的化学机械平坦化和清洗、浅槽隔离、阱形成、栅极模块形成以及源极和漏极模块形成。

如在本文中使用的BEOL是制备的第二阶段，其通常比如当在半导体晶片上沉积第一层金属时开始。BEOL包含接触、隔离层（例如氧化物或氮化物）、金属层和用于芯片到封装连接的键合侧的形成。比如在一些工艺中可以在BEOL中添加直到十层金属层，尽管取决于工艺也可以使用更少的金属层。

因此，FEOL和BEOL是明确限定的技术术语，并且对于本领域技术人员，给定器件的哪些部分在FEOL中制造以及哪些部分在BEOL中制造是清楚的。

在一些实施例中，加速度传感器包括：晶片，该晶片包括在其中形成的压力感测结构；以及设置在感测结构之上的在BEOL中形成的惯性质量，即BEOL结构。在实施例中的感测结构可以包括薄膜。

在一些实施例中，包括感测结构而没有惯性质量的晶片将可操作为压力传感器。