[发明专利]主动元件阵列基板及其检测方法有效
申请号: | 201510094214.4 | 申请日: | 2015-03-03 |
公开(公告)号: | CN104678614B | 公开(公告)日: | 2017-12-15 |
发明(设计)人: | 潘盈豪 | 申请(专利权)人: | 友达光电股份有限公司 |
主分类号: | G02F1/13 | 分类号: | G02F1/13;G02F1/1362 |
代理公司: | 北京律诚同业知识产权代理有限公司11006 | 代理人: | 梁挥,尚群 |
地址: | 中国台湾新竹科*** | 国省代码: | 台湾;71 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 主动 元件 阵列 及其 检测 方法 | ||
1.一种检测方法,适于检测一主动元件阵列基板上的缺陷,其特征在于,该主动元件阵列基板包括:
多个像素结构,配置于一显示区内;
一驱动电路,配置于该显示区之外;
多条信号线,电性连接该驱动电路与相应的该些像素结构;以及
一控制线,位于该驱动电路与该显示区之间,与该多条信号线相互交错;
该检测方法包括:
从该多条信号线中选定一待测信号线;
于显示区之外导通该控制线与该待测信号线;
由该控制线输入一测试信号至该待测信号线,以判定该缺陷的位置;以及绝缘该控制线与该待测信号线。
2.如权利要求1所述的检测方法,其特征在于,从该多条信号线中选定该待测信号线的方法包括:
通过电压映像测定法来判断该缺陷所对应的该待测信号线。
3.如权利要求1所述的检测方法,其特征在于,输入该测试信号至该待测信号线,以判定该缺陷位置的方法包括:
对该主动元件阵列基板进行红外线热影像检测,以通过获得的红外线热影像数据来判断该缺陷的位置。
4.如权利要求1所述的检测方法,其特征在于,导通该控制线与该待测信号线的方法包括:
通过激光来熔接该控制线与该待测信号线的交错处,以形成连接该控制线与该待测信号线的一熔接点。
5.如权利要求4所述的检测方法,其特征在于,在判定该缺陷的位置之后,绝缘该控制线与该待测信号线的方法包括:
移除连接于该熔接点的相对两侧的该待测信号线的一部分,以形成:
第一信号线段,电性连接该驱动电路;
第二信号线段,电性连接该像素结构;以及
第三信号线段,具有该熔接点,且与该第一信号线段与该第二信号线段相互绝缘。
6.如权利要求5所述的检测方法,其特征在于,还包括:
形成一连接线电性连接该第一信号线段与该第二信号线段,且该连接线与该第三信号线段相互绝缘。
7.如权利要求4所述的检测方法,其特征在于,该信号线的一侧具有突出的一第一延伸部,该控制线的一侧具有突出的一第二延伸部,且该第一延伸部与该第二延伸部相互交错,以在激光熔接后形成该熔接点。
8.如权利要求7所述的检测方法,其特征在于,在判定该缺陷的位置之后,绝缘该控制线与该待测信号线的方法包括:
移除连接于该熔接点的部分该第一延伸部,以绝缘该熔接点与该信号线;以及
移除连接于该熔接点的部分该第二延伸部,以绝缘该熔接点与该控制线。
9.一种主动元件阵列基板,其特征在于,包括:
多个像素结构,配置于一显示区内;
一驱动电路,配置于该显示区之外;
一控制线,位于该驱动电路与该显示区之间;
多条信号线,电性连接该驱动电路与相应的该多个像素结构,该多条信号线分别与该控制线相互交错,且该多条信号线包括一目标信号线,该目标信号线包括:
一第一信号线段,电性连接该驱动电路;
一第二信号线段,电性连接相应的该像素结构;
一第三信号线段,具有一熔接点连接该控制线,且该第三信号线段分别与该第一信号线段以及该第二信号线段相互绝缘;以及
一连接线,电性连接该第一信号线段与该第二信号线段,且该连接线与该第三信号线段相互绝缘,利用激光化学气相沉积的方式形成该连接线,使连接该驱动电路的该第一信号线段可再将信号传递至连接该像素结构的该第二信号线段。
10.如权利要求9所述的主动元件阵列基板,其特征在于,该连接线与该控制线交错,且该连接线的两端分别连接该第一信号线段与该第二信号线段。
11.一种主动元件阵列基板,其特征在于,包括:
多个像素结构,配置于一显示区内;
一驱动电路,配置于该显示区之外;
一控制线,位于该驱动电路与该显示区之间;以及
多条信号线,电性连接该驱动电路与相应的该多个像素结构,该多条信号线分别与该控制线相互交错,且各该信号线的一侧具有至少一第一延伸部,该控制线的一侧具有至少一第二延伸部,该第一延伸部中的至少一个与相应的该第二延伸部相互交错。
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