[发明专利]一种石墨烯/Cu/Ni复合电极及其制备方法有效
| 申请号： | 201510094943.X | 申请日： | 2015-03-03 |
| 公开（公告）号： | CN104681801B | 公开（公告）日： | 2017-06-16 |
| 发明（设计）人： | 周文利;李阳;辛超;朱宇 | 申请（专利权）人： | 华中科技大学 |
| 主分类号： | H01M4/38 | 分类号： | H01M4/38 |
| 代理公司： | 华中科技大学专利中心42201 | 代理人： | 廖盈春 |
| 地址： | 430074 湖北*** | 国省代码： | 湖北;42 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 石墨 cu ni 复合 电极 及其 制备 方法 | ||
【权利要求书】：
1.一种石墨烯/Cu/Ni复合电极的制备方法，其特征在于，包括如下步骤：
(1)在基底上淀积一层Ni膜，再在Ni膜上淀积一层Cu膜，得到Cu/Ni复合金属基底；其中，Ni膜与Cu膜的厚度比为1:(3～10)；
(2)利用CVD方法，在Cu/Ni复合金属基底上生长石墨烯薄膜；
所述步骤(2)进一步包括如下步骤：
(A1)在Ar和H2的混合气氛中，升温至400℃～800℃，并保温3h～5h；
(A2)继续升温至1000℃～1050℃；
(A3)向Ar和H2的混合气氛中通入碳氢化合物作为碳源，保温15min～30min；
(A4)在Ar和H2的混合气氛中，降温至室温。
2.一种石墨烯/Cu/Ni复合电极的制备方法，其特征在于，包括如下步骤：
(1)在基底上制备图形化的光刻胶；
(2)淀积一层Ni膜，再在Ni膜上淀积一层Cu膜；其中，Ni膜与Cu膜的厚度比为1:(3～10)；
(3)去除光刻胶，得到图形化的Cu膜和Ni膜；
(4)利用CVD方法，在图形化的Cu膜上生长石墨烯薄膜；
所述步骤(4)进一步包括如下步骤：
(A1)在Ar和H2的混合气氛中，升温至400℃～800℃，并保温3h～5h；
(A2)继续升温至1000℃～1050℃；
(A3)向Ar和H2的混合气氛中通入碳氢化合物作为碳源，保温15min～30min；
(A4)在Ar和H2的混合气氛中，降温至室温。
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