[发明专利]半导体结构

权利要求书

1.一种半导体结构,其特征在于包含有:

一基底,所述基底上具有至少一个导电区域；

多个设置在所述基底上的筒状容器电极,其中,每个所述筒状容器电极具有一个水平部,所述水平部与所述至少一个导电区域直接接触,以及连接该水平部的一垂直侧部；以及

一支撑结构,包含有多个条形部,彼此平行排列,以及多个卡环,介在相邻的两条所述多个条形部之间,其中各个所述卡环箝制固定住每个所述筒状容器电极,且所述多个条形部及多个卡环是位在同一水平面上。

2.根据权利要求1所述的半导体结构,其特征在于所述筒状容器电极排列成多列,又其中各列的筒状容器电极是被相邻两条的所述多个条形部夹设其中。

3.根据权利要求1所述的半导体结构,其特征在于所述多个条形部和多个卡环是由一单一均质材料层制成。

4.根据权利要求3所述的半导体结构,其特征在于单一均质材料层是为氮化硅层。

5.根据权利要求1所述的半导体结构,其特征在于所述多个条形部和多个卡环是一体成型的。

6.根据权利要求1所述的半导体结构,其特征在于所述多个条形部和多个卡环均与该垂直侧部的一颈部直接接触。

7.根据权利要求6所述的半导体结构,其特征在于该支撑结构不会直接接触到该垂直侧部的最顶端部位。

8.根据权利要求1所述的半导体结构,其特征在于所述至少一个导电区域包含钨金属接触元件。

9.一种半导体结构,其特征在在包含有:

一基底,所述基底上具有一导电区域；

至少一筒状容器电极,设置在该导电区域上；以及

一支撑结构,包含有至少两个条形部,彼此平行排列,以及至少一卡环,介在所述两个条形部之间,其中所述卡环箝制固定住所述筒状容器电极。