[发明专利]一种条状InAs纳米带及其制备和应用

权利要求书

1.一种条状InAs纳米带，其特征在于：所述InAs纳米带是化学式为InAs的条状纳米带，所述条状InAs纳米带的带宽为500nm-4μm；长度为5-50μm。

2.根据权利要求1所述的一种条状InAs纳米带，其特征在于：所述条状InAs纳米带的厚度为30-400nm。

3.根据权利要求1所述的一种条状InAs纳米带，其特征在于：所述条状InAs纳米带中In元素与As元素的摩尔比为0.85-1.15：0.85-1.15。

4.一种制备如权利要求1-3任意一项所述条状InAs纳米带的方法，其特征在于包括下述步骤：

将表面分散金颗粒的Si片平铺于磁舟3上后置于带有进气口和出气口的水平管式炉中，抽真空，通入载气并升温至磁舟3的加热温度为400-700℃，通入InAs蒸气，InAs蒸气通过载气送至Si片上生成InAs纳米线后，再按摩尔比，In：As＝100-1000:1往炉内同时通入InAs蒸气和In蒸气；InAs蒸气和In蒸气通过载气送至所生成的InAs纳米线反应，得到条状InAs纳米带；反应时，控制炉内压力为1-20Torr；控制载气流速为10-100sccm。

5.一种制备如权利要求1-3任意一项所述条状InAs纳米带的方法，其特征在于包括下述步骤：

将In粉装入磁舟1，将InAs粉装入磁舟2，将表面分散金颗粒的Si片平铺于磁舟3上，然后将磁舟1、磁舟2、磁舟3依次置于带有进气口和出气口的水平管式炉中，所述磁舟2位于磁舟1与磁舟3之间，且磁舟1靠近进气口；抽真空，持续通入载气并升温至磁舟2的加热温度为820-920℃、磁舟3的加热温度为400-700℃、磁舟1的温度为≤170℃，载气带着InAs蒸气在Si片反应，生成InAs纳米线；然后继续通入载气并将磁舟1推至400-920℃的加热区域，载气携带In蒸气、InAs蒸气在InAs纳米线上反应，随炉冷却，得到所述条状InAs纳米带；

反应时，控制炉内压力为1-20Torr；控制载气流速为10-100sccm。

6.根据权利要求5所述的一种制备条状InAs纳米带的方法，其特征在于：反应时，控制炉内压力为5-10Torr；控制载气流速为30-70sccm。

7.根据权利要求6所述的一种制备条状InAs纳米带的方法，其特征在于：反应时，控制炉内压力为5-6Torr；控制载气流速为30-50sccm。

8.根据权利要求5所述的一种制备条状InAs纳米带的方法，其特征在于：所述载气选自氢气、氩气中的至少一种。

9.根据权利要求5所述的一种制备条状InAs纳米带的方法，其特征在于：InAs粉的纯度≥99％；In粉的纯度≥99.99％。

10.一种如权利要求1-3任意一项所述条状InAs纳米带的应用，其特征在于：包括用于集成半导体器件的制备。