[发明专利]半导体装置及其制造方法

权利要求书

1.一种半导体装置，其特征在于，具备：

第一半导体元件，设在第一导电体与第二导电体之间，第一半导体元件的第一电极连接于上述第一导电体，第一半导体元件的第二电极连接于上述第二导电体，第一半导体元件的控制电极连接于第一信号端子；

第二半导体元件，设在上述第一导电体与上述第二导电体之间，第二半导体元件的第一电极连接于上述第一导电体，第二半导体元件的第二电极连接于上述第二导电体；

第三半导体元件，设在第三导电体与第四导电体之间，第三半导体元件的第一电极连接于上述第三导电体，第三半导体元件的第二电极连接于上述第四导电体，第三半导体元件的控制电极连接于第二信号端子；

第四半导体元件，设在上述第三导电体与上述第四导电体之间，第四半导体元件的第一电极连接于上述第三导电体，第四半导体元件的第二电极连接于上述第四导电体；

第一电力端子，第一电力端子的一端连接于上述第二导电体，第一电力端子的另一端相比于上述第二导电体向外侧延伸；

第二电力端子，将上述第一导电体和上述第四导电体连接，相比于上述第一导电体及上述第四导电体向外侧延伸；以及

第三电力端子，第三电力端子的一端连接于上述第三导电体，第三电力端子的另一端相比于上述第三导电体向外侧延伸。

2.如权利要求1记载的半导体装置，其特征在于，

还具备绝缘体，该绝缘体被设置成覆盖上述第一电力端子～第三电力端子的基端部、上述第一信号端子以及第二信号端子的基端部、上述第一导电体～第四导电体、上述第一半导体元件～第四半导体元件。

3.如权利要求2记载的半导体装置，其特征在于，

上述绝缘体具有长方体形状，

上述第一电力端子～第三电力端子弯折成与上述绝缘体的一个侧面平行。

4.如权利要求2记载的半导体装置，其特征在于，

上述第一导电体～第四导电体的一个侧面从上述绝缘体露出而与冷却器相接。

5.如权利要求2记载的半导体装置，其特征在于，

上述绝缘体由模制树脂构成。

6.如权利要求1记载的半导体装置，其特征在于，

从上述第二电力端子输出的信号被输入电动机。

7.如权利要求1记载的半导体装置，其特征在于，

在上述第一电力端子被供给低电位侧电源，在上述第三电力端子被供给高电位侧电源。

8.如权利要求2记载的半导体装置，其特征在于，

上述绝缘体由分型线分割。

9.如权利要求1记载的半导体装置，其特征在于，

上述第三导电体的与上述第一导电体对置的面所邻接的一个侧面，和上述第四导电体的与上述第二导电体对置的面所邻接的一个侧面不在同一平面上。

10.如权利要求1记载的半导体装置，其特征在于，

上述第二导电体的与上述第四导电体对置的面所邻接的一个侧面，和上述第一导电体的与上述第三导电体对置的面所邻接的一个侧面不在同一平面上。

11.如权利要求1记载的半导体装置，其特征在于，

上述第一导电体的长度方向的宽度与上述第二导电体的长度方向的宽度不同。

12.如权利要求1记载的半导体装置，其特征在于，

上述第三导电体的长度方向的宽度与上述第四导电体的长度方向的宽度不同。

13.如权利要求1记载的半导体装置，其特征在于，

上述第一导电体及上述第四导电体具有板状形状，上述第一导电体及上述第四导电体被配置为，从与板状的平面垂直的方向观察时互相重叠。

14.如权利要求1记载的半导体装置，其特征在于，

上述第一半导体元件及上述第三半导体元件是IGBT，上述第二半导体元件及上述第四半导体元件是二极管。

15.如权利要求1记载的半导体装置，其特征在于，

上述第一导电体～第四导电体采用铜(Cu)或铜合金。

16.如权利要求1记载的半导体装置，其特征在于，

上述半导体装置是进行从直流电力向交流电力的变换的电力变换装置。