[发明专利]半导体器件的制造方法

权利要求书

1.一种半导体器件的制造方法，其特征在于，所述方法包括：

形成包括针状缺陷的沟槽；

在包括针状缺陷的沟槽上形成线形氧化物；

在所述包括针状缺陷的沟槽上沉积高密度等离子体氧化物；

通过应用氧化物刻蚀去除针状缺陷上的部分高密度等离子体氧化物和线形氧化物；和

在应用氧化物刻蚀步骤之后，通过应用硅刻蚀来回刻蚀针状缺陷。

2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，沟槽通过以下步骤形成：

在半导体衬底的表面上形成二氧化硅层；

在二氧化硅层的顶部形成氮化硅层；

在氮化硅层上形成抗蚀剂层；

图案化抗蚀剂层以界定隔离区；

通过使用作为掩模的图案化的抗蚀剂层来刻蚀氮化硅层、二氧化硅层和隔离区中的半导体衬底；

除去剩余的抗蚀剂层。

3.根据权利要求2所述的方法，其特征在于，还包括：

在回刻蚀针状缺陷步骤之后，用另外的高密度等离子体氧化物填充沟槽。

4.根据权利要求3所述的方法，其特征在于，还包括：

在用另外的高密度等离子体氧化物填充沟槽的步骤之后，通过执行另外的高密度等离子体氧化物的化学机械研磨来暴露剩余的氮化硅层。

5.根据权利要求4所述的方法，其特征在于，还包括：

在暴露氮化硅层的步骤之后，通过去除剩余的氮化硅层来形成浅沟槽隔离。

6.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，针状缺陷是在沟槽的底部中。

7.根据权利要求6所述的方法，其特征在于，还包括：在沉积高密度等离子体(HDP)氧化物的步骤和去除部分高密度等离子体氧化物和线形氧化物的步骤之间：

在高密度等离子体氧化物上形成另外的抗蚀剂层；

图案化另外的抗蚀剂层，其中图案化后的另外的抗蚀剂层至少部分地覆盖沟槽的侧壁，同时暴露沟槽的底部。

8.根据权利要求2所述的方法，其特征在于，刻蚀氮化硅的步骤使用活性离子刻蚀。

9.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，硅刻蚀是湿法刻蚀。

10.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，硅刻蚀是干法刻蚀。

11.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，执行氧化物刻蚀达到针状缺陷的顶端上的线形氧化物和高密度等离子体氧化物的厚度之和的深度。

12.根据权利要求7所述的方法，其特征在于，侧壁上的线形氧化物和高密度等离子体氧化物的厚度大于针状缺陷的顶端上的线形氧化物和高密度等离子体氧化物，其中刻蚀深度大于针状缺陷的顶端上的线形氧化物和高密度等离子体氧化物的厚度和小于沟槽的侧壁上的线形氧化物和高密度等离子体氧化物的厚度。

13.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，氧化物刻蚀被执行到50nm的深度。

14.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，硅刻蚀被执行到300nm的深度。

15.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，在沟槽上沉积高密度等离子体氧化物的步骤包括使用高密度等离子体氧化物部分地填充沟槽。

16.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，在沟槽上沉积高密度等离子体氧化物的步骤包括用高密度等离子体氧化物充分填充沟槽和在高密度等离子体氧化物上执行化学机械研磨。