[发明专利]快闪存储器位线间缺陷的检测方法有效
| 申请号： | 201510104035.4 | 申请日： | 2015-03-10 |
| 公开（公告）号： | CN104681102B | 公开（公告）日： | 2018-08-14 |
| 发明（设计）人： | 罗旖旎;张宇飞 | 申请（专利权）人： | 武汉新芯集成电路制造有限公司 |
| 主分类号： | G11C29/56 | 分类号： | G11C29/56 |
| 代理公司： | 上海思微知识产权代理事务所(普通合伙) 31237 | 代理人： | 屈蘅;李时云 |
| 地址： | 430205 湖北*** | 国省代码： | 湖北;42 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 闪存 储器位线间 缺陷 检测 方法 | ||
1.一种快闪存储器位线间缺陷的检测方法，其特征在于，包括步骤：
提供快闪存储器，所述快闪存储器包括多个位线；
在对所述快闪存储器进行检测时，对待检测位线施加预定正电压，将所述待检测位线相邻的两个位线电压维持在0V；
检测所述待检测位线和相邻的两个位线之间的电流与基准值比较或将所述待检测位线对应存储单元的阈值电压与基准值比较，判断所述待检测位线和相邻的两个位线之间是否存在缺陷。
2.如权利要求1所述的快闪存储器位线间缺陷的检测方法，其特征在于，对所述快闪存储器进行检测为擦除检测。
3.如权利要求2所述的快闪存储器位线间缺陷的检测方法，其特征在于，在进行擦除检测时，先将所述快闪存储器所有单元进行擦除，接着对待检测位线施加预定正电压，将所述待检测位线相邻的两个位线电压维持在0V，其余位线不接电压，根据检测结果判断在擦除状态下所述待检测位线和相邻的两个位线之间是否存在缺陷。
4.如权利要求1所述的快闪存储器位线间缺陷的检测方法，其特征在于，对所述快闪存储器进行检测为编程检测。
5.如权利要求4所述的快闪存储器位线间缺陷的检测方法，其特征在于，在进行编程检测时，先将所述快闪存储器所有单元编程至任意数据状态，接着对待检测位线施加预定正电压，将所述待检测位线相邻的两个位线电压维持在0V，其余位线不接电压，根据检测结果判断在编程状态下所述待检测位线和相邻的两个位线之间是否存在缺陷。
6.如权利要求1所述的快闪存储器位线间缺陷的检测方法，其特征在于，对所述快闪存储器进行检测为读取检测。
7.如权利要求6所述的快闪存储器位线间缺陷的检测方法，其特征在于，在进行读取检测时，读取所述快闪存储器所有单元，读到的所述待检测位线施加预定正电压，将所述待检测位线相邻的两个位线电压维持在0V，其余位线不接电压，根据检测结果判断在读取状态下所述待检测位线和相邻的两个位线之间是否存在缺陷。
8.如权利要求1所述的快闪存储器位线间缺陷的检测方法，其特征在于，所述预定正电压范围是0.5V～1.5V。
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