[发明专利]薄膜封装方法及薄膜封装结构、显示装置

权利要求书

1.一种薄膜封装方法，其特征在于，包括：

1)将待封装器件置于等离子体增强化学气相沉积装置中，设置掩膜板以控制封装区域，遮蔽无需封装的区域；

2)调整通入等离子体增强化学气相沉积装置中的气体，沉积无机硅材料膜层；

3)调整通入等离子体增强化学气相沉积装置中的N₂，在所述无机硅材料膜层上利用与无机硅材料发生化学反应的有机材料沉积有机硅烷膜层。

2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述步骤2)具体为：

调整通入等离子体增强化学气相沉积装置中的气体SiH₄和N₂O，沉积生长无机SiO_x膜层；或者

调整通入等离子体增强化学气相沉积装置中的气体SiH₄和NH₃，沉积生长无机SiN_x膜层。

3.根据权利要求2所述的方法，其特征在于，利用氦气或氩气将所述气体SiH₄的浓度稀释到5％-30％。

4.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述步骤3)具体为：

调整通入等离子体增强化学气相沉积装置中的N₂，在所述无机硅材料膜层上利用与无机硅材料发生化学反应的含有氯原子的有机脂肪族硅烷沉积有机硅烷膜层。

5.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述方法还包括步骤4)：

重复组合步骤2)和3)。

6.根据权利要求5所述的方法，其特征在于，在所述步骤4)之后，还包括步骤5)：

调整通入等离子体增强化学气相沉积装置中的O₂，利用有机硅前驱体，在所述有机硅烷膜层上沉积六甲基二甲硅醚膜层。

7.根据权利要求6所述的方法，其特征在于，所述方法具体包括：

重复组合步骤2)、3)和5)；或

重复组合步骤2)和3)若干次后进行步骤5)。

8.一种薄膜封装结构，其特征在于，所述薄膜封装结构由交替设置的至少一层无机硅材料膜层和至少一层有机硅烷膜层构成，所述有机硅烷膜层通过化学键合与所述无机硅材料膜层相连。

9.根据权利要求8所述的薄膜封装结构，其特征在于，所述无机硅材料选自无机SiO_x、无机SiN_x或它们的组合。

10.根据权利要求8所述的薄膜封装结构，其特征在于，用于形成所述有机硅烷膜层的有机材料为含有氯原子的有机脂肪族硅烷，所述含有氯原子的有机脂肪族硅烷选自十八烷基三氯硅烷、二十烷基三氯硅烷、十四烷基三氯硅烷和十六烷基三氯硅烷中的任意一种。

11.根据权利要求8所述的薄膜封装结构，其特征在于，所述无机硅材料膜层的厚度为20-2000nm，所述无机硅材料膜层的层数为1-10层；所述有机硅烷膜层的厚度为100-2000nm，所述有机硅烷膜层的层数为1-10层。

12.根据权利要求8所述的薄膜封装结构，其特征在于，所述有机硅烷膜层上还沉积有六甲基二甲硅醚膜层。

13.根据权利要求12所述的薄膜封装结构，其特征在于，所述六甲基二甲硅醚膜层的厚度为100-2000nm，所述六甲基二甲硅醚膜层的层数为1-8层。

14.一种显示装置，其特征在于，包括权利要求8-13任一项所述的薄膜封装结构。