[发明专利]薄膜封装方法及薄膜封装结构、显示装置有效
申请号: | 201510104413.9 | 申请日: | 2015-03-10 |
公开(公告)号: | CN104733647A | 公开(公告)日: | 2015-06-24 |
发明(设计)人: | 孙雯雯 | 申请(专利权)人: | 京东方科技集团股份有限公司 |
主分类号: | H01L51/56 | 分类号: | H01L51/56;H01L51/52;H01L27/32 |
代理公司: | 北京中博世达专利商标代理有限公司 11274 | 代理人: | 申健 |
地址: | 100015 *** | 国省代码: | 北京;11 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 薄膜 封装 方法 结构 显示装置 | ||
技术领域
本发明涉及封装结构及封装方法领域,尤其涉及一种薄膜封装方法及薄膜封装结构、显示装置。
背景技术
研究表明,空气中的水汽和氧气等成分对OLED的寿命影响很大,其原因主要表现为以下两方面:一是OLED器件工作需从阴极注入电子,要求阴极功函数越低越好,但作为阴极的金属如银、铝镁等,一般比较活泼,易与渗透进来的水汽发生反应;二是渗透进来的水汽会进一步与空穴传输层以及电子传输层发生化学反应,从而引起器件失效。所以,为了防止有机光电器件的老化和不稳定性,需对OLED进行有效封装。
随着柔性OLED的兴起,针对性的提出了柔性OLED的封装,其一方面要求封装结构对水汽的渗透率低于5×10-6g/m2d,对氧气的渗透率低于10-5cm2/m2d,另一方面,还要求封装结构需具有柔性可弯曲的特性,这就使得传统的刚性封装结构无法满足需求,而以薄膜封装结构为代表的新的封装材料及封装结构则显现出来。
薄膜封装结构包括无机绝缘层SiOx或SiNx等膜层,无机绝缘膜层虽具有较高的防水、氧渗透能力,但其自身膜质表面粗糙,且有“小孔”,使得外界的水氧易通过“小孔”入侵,从而降低薄膜封装结构的水氧阻隔性。并且,薄膜封装结构是以有机层和无机绝缘层物理交替构成,由于无机绝缘层与有机材料或者胶之间为物理连接,使得薄膜封装结构在弯折数次后会发生层间脱离或开裂,从而使柔性显示器件直接受到破坏性的损伤,影响器件的使用寿命。
因此,提供一种能够有效防止水氧入侵显示器件,并提高显示器件耐弯折性的薄膜封装结构是本领域技术人员所面临的重要课题。
发明内容
本发明实施例提供了一种薄膜封装方法及薄膜封装结构、显示装置,能够有效防止水氧入侵显示器件,并提高显示器件耐弯折性。
为达到上述目的,本发明的实施例采用如下技术方案:
一种薄膜封装方法,包括:
1)将待封装器件置于等离子体增强化学气相沉积装置中,设置掩膜板以控制封装区域,遮蔽无需封装的区域;
2)调整通入等离子体增强化学气相沉积装置中的气体,沉积无机硅材料膜层;
3)调整通入等离子体增强化学气相沉积装置中的N2,在所述无机硅材料膜层上利用与无机硅材料发生化学反应的有机材料沉积有机硅烷膜层。
具体的,所述步骤2)具体为:
调整通入等离子体增强化学气相沉积装置中的气体SiH4和N2O,沉积生长无机SiOx膜层;或者
调整通入等离子体增强化学气相沉积装置中的气体SiH4和NH3,沉积生长无机SiNx膜层。
优选的,利用氦气或氩气将所述气体SiH4的浓度稀释到5%-30%。
可选的,所述步骤3)具体为:调整通入等离子体增强化学气相沉积装置中的N2,在所述无机硅材料膜层上利用与无机硅材料发生化学反应的含有氯原子的有机脂肪族硅烷沉积有机硅烷膜层。
可选的,所述方法还包括步骤4):重复组合步骤2)和3)。
优选的,在所述步骤4)之后,还包括步骤5):
调整通入等离子体增强化学气相沉积装置中的O2,利用有机硅前驱体,在所述有机硅烷膜层上沉积六甲基二甲硅醚膜层。
可选的,所述方法具体包括:
重复组合步骤2)、3)和5);或
重复组合步骤2)和3)若干次后进行步骤5)。
一种薄膜封装结构,所述薄膜封装结构由交替设置的至少一层无机硅材料膜层和至少一层有机硅烷膜层构成,所述有机硅烷膜层通过化学键合与所述无机硅材料膜层相连。
可选的,所述无机硅材料选自无机SiOx、无机SiNx或它们的组合。
可选的,用于形成所述有机硅烷膜层的有机材料为含有氯原子的有机脂肪族硅烷,所述含有氯原子的有机脂肪族硅烷选自十八烷基三氯硅烷、二十烷基三氯硅烷、十四烷基三氯硅烷和十六烷基三氯硅烷中的任意一种。
优选的,所述无机硅材料膜层的厚度为20-2000nm,所述无机硅材料膜层的层数为1-10层;所述有机硅烷膜层的厚度为100-2000nm,所述有机硅烷膜层的层数为1-10层。
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