[发明专利]工件研磨方法和工件研磨装置

说明书

本发明提供一种工件研磨方法和工件研磨装置。本发明的方法能够以高研磨效率研磨高硬度工件。该方法包括如下步骤：将工件的表面压在转动研磨板的研磨部上；以及在执行该加压步骤时供给研磨液。该方法的特征在于，将通过气体放电而已经被活性化的活性化气体转变成气泡并混入研磨液中。

技术领域

本发明涉及用于适当地研磨由例如SiC的高硬度材料构成的工件的方法，以及用于适当地研磨该工件的工件研磨装置。

背景技术

使基板变平对于制备半导体功率器件(semiconductor power device)是必要的。然而，由例如碳化硅(SiC)、氮化镓(GaN)、金刚石构成的宽带隙(wide band gap)半导体的基板硬且脆，所以难以通过机械加工有效率地使所述基板变平。

专利文献1公开了一种使用含有磨粒(abrasive particle)和微纳米气泡水(micro-nano bubble water)的研磨液的方法。

此外，专利文献2公开了一种用于减少研磨缺陷和以高研磨速率研磨工件的研磨方法，其中使用了含有磨粒的第一加工液和含有电解质及直径为10nm-1000μm的微纳米气泡的第二加工液。

现有技术文献

专利文献1：日本特开2009-111094号公报

专利文献2：日本特开2008-235357号公报

发明内容

在专利文献1和专利文献2所公开的技术中，微纳米气泡包含在研磨液或加工液中，以便改善研磨速率和减少研磨缺陷。然而，即使通过所述专利文献中公开的技术也难以以有效率的研磨速率研磨例如SiC、金刚石等的具有高硬度和耐加工性的材料。

为了解决传统技术的上述问题而开发了本发明。相应地，本发明的目的在于提供能够以高研磨效率研磨高硬度材料的工件研磨方法和工件研磨装置。

为了实现该目的，本发明具有以下构造。

即，本发明的研磨方法包括如下步骤：

将所述工件的表面压到转动研磨板的研磨部上；以及

在执行将所述工件的表面压到所述转动研磨板的研磨部上的同时供给研磨液，并且

所述方法的特征在于将通过气体放电而已经被活性化的活性化气体转变成气泡并混入所述研磨液。

在该方法中，可以将所述活性化气体直接混入已经混有磨粒的所述研磨液。

在该方法中，可以通过使含有磨粒的液体与含有所述活性化气体的另一液体混合来制备所述研磨液。

在该方法中，所述另一液体可以为水。

在该方法中，待被活性化的气体可以为空气、氧气、非活性气体、氟气或它们的混合物。

优选地，所述活性化气体为微细活性化气体。

本发明的工件研磨装置包括：

研磨液供给部；

研磨板，所述研磨板具有研磨部，在所述研磨板转动时，随着供给研磨液，将工件的表面压在所述研磨部上从而研磨所述工件；

气体放电部，所述气体放电部用于通过气体放电来生成活性化气体；以及

气泡生成部，所述气泡生成部用于将通过所述气体放电部而已经被活性化的所述活性化气体转变成气泡，并且

所述活性化气体被混入所述研磨液。

在该装置中，可以将磨粒混入所述研磨液，并且所述气泡生成部可以使所述活性化气体的气泡与含有所述磨粒的研磨液直接混合。