[发明专利]基板处理装置

说明书

本发明提供一种即使在利用共用管路对基板的下表面供给处理液和温水的情况下，也能够均匀地处理基板的基板处理装置。冷却机构具有包围共通配管(29)的管状构件(31)。管状构件(31)的上端被具有开口部(33)的盖构件(32)封闭，该开口部(33)用于向被旋转卡盘保持且进行旋转的半导体晶片(100)的下表面的旋转中心附近供给液体，且与共用管路(29)的端缘连接。另外，冷却水的供给配管(26)向该管状构件(31)的内部供给常温的纯水。向管状构件(31)内部供给的常温的纯水在对共用管路(29)冷却后从管状构件(31)的下端流出。

技术领域

本发明涉及向有机EL显示装置用玻璃基板、液晶显示装置用玻璃基板、太阳能电池用平板基板、等离子显示器用玻璃基板、光掩模用玻璃基板、光盘用基板、半导体晶片等基板的上表面以及下表面供给处理液来对基板进行处理的基板处理装置。

背景技术

例如，在通过氢氟酸(HF)对作为基板的半导体晶片的上表面进行蚀刻处理的基板处理装置中，为了达到对半导体晶片的上下表面两面进行蚀刻，或者使半导体晶片的温度接近氢氟酸的温度来对半导体晶片的上表面进行均匀的蚀刻的目的，向半导体晶片的上下表面两面供给氢氟酸。然后，向通过氢氟酸进行蚀刻处理后的半导体晶片的上下表面两面供给纯水，进行冲洗处理，接着，对半导体晶片的下表面供给被加热的纯水，使半导体晶片的温度上升，之后，通过使半导体晶片高速旋转，甩出附着在半导体晶片上的纯水，来进行干燥。另外，在向半导体晶片的上表面供给被加热的纯水时，向半导体晶片的上表面供给异丙醇(IPA)等有机溶剂，由此，提高进行甩出干燥时的半导体晶片的上表面的干燥性(参照专利文献1)。

专利文献1：JP特开2012-156561号公报

在这样的基板处理装置中，通常通过旋转卡盘保持半导体晶片，对被该旋转卡盘保持且进行旋转的半导体晶片的上表面以及下表面供给氢氟酸等处理液。此时，对于半导体晶片的上表面侧，能够选择性地使用与多种处理液对应的多个处理液供给嘴，来向半导体晶片的上表面侧供给多种处理液。但是，对于半导体晶片的下表面侧，这样的自由度少。即，在向半导体晶片的下表面侧供给多种处理液时，需要使用多种处理液流通的共用管路，从该共用管路向被旋转卡盘保持且进行旋转的半导体晶片的下表面的旋转中心供给多种处理液。

而且，在使用这样的共用管路向半导体晶片的下表面供给被加热的纯水时，共用管路的温度上升。从而，在连续进行这样的处理时，由于蓄积的热量，共用管路的温度进一步上升，因此共用管路的温度对经由共用管路向半导体晶片的下表面供给的处理液造成的影响逐渐变高。

通常，氢氟酸的蚀刻速度依赖于氢氟酸的温度。因此，在向半导体晶片的下表面供给的处理液的温度发生变化时，该蚀刻速度也发生变化，从而不能够在多个半导体晶片之间进行均匀的蚀刻处理。

另外，与供给至上表面的氢氟酸相比，在下表面向被旋转卡盘保持且进行旋转的半导体晶片的下表面的旋转中心供给高温的处理液时，在半导体晶片的旋转中心附近与端缘附近产生温度差。在产生这样的温度差的情况下，出现损害对半导体晶片进行的蚀刻的面内均匀性的问题。

此外，为了解决这样的问题，还考虑在进行氢氟酸处理前通过纯水冲洗半导体晶片，但是，在采用这样的结构的情况下，难于回收再利用氢氟酸，另外，产生处理时间多出进行冲洗工序的时间的问题。

发明内容

本发明是为了解决上述问题而提出的，其目的在于提供一种即使在利用共用管路对基板的下表面供给处理液和温水的情况下，也能够均匀地处理基板的基板处理装置。

技术方案1记载的发明为一种基板处理装置，具有：上表面处理液供给部，向被旋转卡盘保持且进行旋转的基板的上表面供给处理液，共用管路，用于向被所述旋转卡盘保持且进行旋转的基板的下表面的旋转中心附近供给液体，下表面处理液供给部，向所述共用管路供给处理液，温水供给部，向所述共用管路供给温水；该基板处理装置的特征在于，该基板处理装置具有冷却机构，该冷却机构向所述共用管路的外周部供给流体来冷却所述共用管路。