[发明专利]一种80‑150kg宝石单晶的自动生长控制方法有效

专利信息
申请号: 201510113649.9 申请日: 2015-03-16
公开(公告)号: CN104775152B 公开(公告)日: 2017-06-30
发明(设计)人: 罗仁辉;秦英谡;马中琦;杨明超 申请(专利权)人: 内蒙古京晶光电科技有限公司
主分类号: C30B17/00 分类号: C30B17/00;C30B29/20
代理公司: 包头市专利事务所15101 代理人: 庄英菊
地址: 014030 内蒙古自治区包*** 国省代码: 内蒙古;15
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摘要:
搜索关键词: 一种 80 150 kg 宝石 自动 生长 控制 方法
【权利要求书】:

1.一种80-150kg宝石单晶的自动生长控制方法,其特征在于,方法步骤如下:

1)加热熔料及引晶:在二段式热场结构的长晶炉中,加热器采用上下两段加热器完成引晶,所述上下两段加热器采用各自独立功率控制器;

2)加热器参数设定:设定上加热器功率降速/下加热器功率降速的比例因数R,比例因数R自动控制的起始值R1为9.5~10.5,比例因数R自动控制的结束值R2为0.09~0.2;自动控制时间T为200-300h;所述比例因数R由R1转变至R2的过程满足方程R(T)=Acos(πT/600)+B,式中A取值范围9.0~11.0,B取值范围0. 09~0.5;

3)进入自动控制阶段:长晶炉内安装的用于测量晶体重量的电子称重器,将晶体重量及生长速率信号发送到PLC控制系统,PLC计算出适合晶体生长的总功率降速,再将总功率降速按设定的比例因数R1分配给上、下两个加热器的功率控制器,两个功率控制器按分配的功率降速控制对应加热器,自动控制初期,晶体生长面刚刚稳定,位于上加热器温度控制区域,生长面上结晶潜热的散发主要受上加热器功率变化的控制,此时设置的R值较大,上加热器的功率降速要远大于下加热器的功率降速,便于结晶潜热的散发,同时下加热器功率降速较低可继续维持晶体良好生长所需的温度梯度,维持生长面形状;随晶体生长,生长面下移至上、下加热器中间,R值受PLC自动控制逐渐变小,上、下加热器功率降速逐渐相同,共同完成生长面结晶潜热的散发;晶体生长进入后期,生长面已移至近坩埚底部,结晶潜热的散发主要由下加热器控制区域的温度变化来控制,此时的R值已由PLC自动控制变小,下加热器的功率降速要远大于上加热器的功率降速,符合生长面散热的需求,维持生长面形状,同时上加热器功率降速放缓,有助于晶体轴向温度梯度的减小,防止晶体开裂,使晶体的良率达88%。

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