[发明专利]基板加热装置和基板加热方法有效
申请号: | 201510114199.5 | 申请日: | 2015-03-16 |
公开(公告)号: | CN104681402B | 公开(公告)日: | 2018-03-16 |
发明(设计)人: | 陆小勇;许晓伟;左岳平;田宏伟;张宇;龙春平 | 申请(专利权)人: | 京东方科技集团股份有限公司 |
主分类号: | H01L21/00 | 分类号: | H01L21/00;H01L21/02 |
代理公司: | 北京风雅颂专利代理有限公司11403 | 代理人: | 李莎,李弘 |
地址: | 100015 *** | 国省代码: | 北京;11 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 加热 装置 方法 | ||
1.一种基板加热装置,其特征在于,包括:
加热层,用于传导热量;
传输管,用于向扩散层传输气体;
所述扩散层,设置在所述加热层之上,用于使所述气体均匀分布于导出层和所述加热层之间;
所述导出层,设置在所述扩散层之上,其中均匀地设置有多个通孔,所述多个通孔用于将所述扩散层中的气体导出至待加热基板下方,以使所述待加热基板均匀受热;每个所述通孔导出的气体的流量为5至20sccm;
缓冲元件,设置于所述传输管的出口,用于降低从所述传输管进入所述扩散层的气体的速度。
2.根据权利要求1所述的基板加热装置,其特征在于,还包括:
至少一个升降杆,用于与所述待加热基板相接触,控制所述待加热基板与所述导出层的距离。
3.根据权利要求2所述的基板加热装置,其特征在于,还包括:
限位元件,用于将所述待加热基板限定在预设高度范围内,以便对所述待加热基板进行蚀刻、沉积和/或溅射。
4.根据权利要求2所述的基板加热装置,其特征在于,还包括:
流量控制元件,用于控制所述传输管向所述扩散层传输气体的流量。
5.根据权利要求4所述的基板加热装置,其特征在于,还包括:
开度控制元件,用于控制所述多个通孔中至少一个通孔的开度。
6.根据权利要求5所述的基板加热装置,其特征在于,还包括:
温度传感器,用于检测所述待加热基板上表面和/或下表面的温度,以进行显示。
7.根据权利要求6所述的基板加热装置,其特征在于,还包括:
反馈元件,用于根据所述待加热基板上表面和/或下表面的温度,向所述至少一个升降杆,和/或所述流量控制元件,和/或所述开度控制元件传输信号,以调节所述待加热基板的受热参数。
8.根据权利要求1至7中任一项所述的基板加热装置,其特征在于,还包括:
气体循环元件,用于将对所述待加热基板加热后的气体传输至储气元件;
所述储气元件,连接至所述传输管,用于存储气体,以及将存储的气体导入所述传输管。
9.根据权利要求1至7中任一项所述的基板加热装置,其特征在于,所述气体为氩气。
10.一种基板加热方法,其特征在于,包括:
传输管向扩散层传输气体;
设置于所述加热层之上的扩散层使所述气体均匀分布于导出层和加热层之间,以使所述气体吸收所述加热层传导的热量;
导出层中均匀设置的多个通孔将所述扩散层中的气体导出至待加热基板下方,以对所述待加热基板均匀加热。
11.根据权利要求10所述的基板加热方法,其特征在于,还包括:
与所述待加热基板相接触的至少一个升降杆,根据接收到第一指令控制所述待加热基板与所述导出层的距离。
12.根据权利要求11所述的基板加热方法,其特征在于,还包括:
限位元件根据接收到的第二指令将所述待加热基板限定在预设高度范围内,以便对所述待加热基板进行蚀刻、沉积和/或溅射。
13.根据权利要求11所述的基板加热方法,其特征在于,还包括:
流量控制元件根据接收到的第三指令控制所述传输管向所述扩散层传输气体的流量。
14.根据权利要求13所述的基板加热方法,其特征在于,还包括:
开度控制元件根据接收到的第四控制指令控制所述多个通孔中至少一个通孔的开度。
15.根据权利要求14所述的基板加热方法,其特征在于,还包括:
温度传感器检测所述待加热基板上表面和/或下表面的温度,以进行显示。
16.根据权利要求15所述的基板加热方法,其特征在于,还包括:
反馈元件根据所述待加热基板上表面和/或下表面的温度,向所述至少一个升降杆,和/或所述流量控制元件,和/或所述开度控制元件传输信号,以调节所述待加热基板的受热参数。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造