[发明专利]基板加热装置和基板加热方法

说明书

技术领域

本发明涉及显示技术领域，具体而言，涉及一种基板加热装置和一种基板加热方法。

背景技术

目前的低温多晶硅薄膜晶体管阵列基板的制备正在往高分辨率,高性能方向发展。现有的加热工艺如图1所示，基板温度由加热板直接提供，由于加热板自身密度不均或存在杂质等问题，对基板加热不均匀导致基板温度分布不均匀，从而会使得基板上成膜的厚度分布均匀性不佳，厚度分布如图2所示，表面上成膜厚度的均匀度仅能达到4.5％，会影响基板的薄膜沉积，溅射和刻蚀等工艺的均匀性。

发明内容

本发明所要解决的技术问题是，如何对基板进行良好的加热，以保证基板表面温度分布的均匀，进而保证沉积、溅射和/或蚀刻等工艺的效果。

为此目的，本发明提出了一种基板加热装置，包括：

加热层，用于传导热量；

传输管，用于向扩散层传输气体；

所述扩散层，设置在所述加热层之上，用于使所述气体均匀分布于导出层和所述加热层之间；

所述导出层，设置在所述扩散层之上，其中均匀地设置有多个通孔，所述多个通孔用于将所述扩散层中的气体导出至待加热基板下方，以使所述待加热基板均匀受热。

优选地，还包括：

至少一个升降杆，与所述待加热基板相接触，用于控制所述待加热基板与所述导出层的距离。

优选地，还包括：

限位元件，用于将所述待加热基板限定在预设高度范围内，以便对所述待加热基板进行蚀刻、沉积和/或溅射。

优选地，还包括：

流量控制元件，用于控制所述传输管向所述扩散层传输气体的流量。

优选地，还包括：

开度控制元件，用于控制所述多个通孔中至少一个通孔的开度。

优选地，还包括：

温度传感器，用于检测所述待加热基板上表面和/或下表面的温度，以进行显示。

优选地，还包括：

反馈元件，用于根据所述待加热基板上表面和/或下表面的温度，向所述至少一个升降杆，和/或所述流量控制元件，和/或所述开度控制元件传输信号，以调节所述待加热基板的受热参数。

优选地，还包括：

气体循环元件，用于将对所述待加热基板加热后的气体传输至储气元件；

所述储气元件，连接至所述传输管，用于存储气体，以及将存储的气体导入所述传输管。

优选地，还包括：

缓冲元件，设置于所述传输管的出口，用于降低从所述传输管进入所述扩散层的气体的速度。

优选地，每个所述通孔导出的气体的流量为5至20sccm。

优选地，所述气体为氩气。

本发明还提出了一种基板加热方法，包括：

传输管向扩散层传输气体；

设置于所述加热层之上的扩散层使所述气体均匀分布于导出层和加热层之间，以使所述气体吸收所述加热层传导的热量；

导出层中均匀设置的多个通孔将所述扩散层中的气体导出至待加热基板下方，以对所述待加热基板均匀加热。

优选地，还包括：

与所述待加热基板相接触的至少一个升降杆，根据接收到第一指令控制所述待加热基板与所述导出层的距离。

优选地，还包括：

限位元件根据接收到的第二指令将所述待加热基板限定在预设高度范围内，以便对所述待加热基板进行蚀刻、沉积和/或溅射。

优选地，还包括：

流量控制元件根据接收到的第三指令控制所述传输管向所述扩散层传输气体的流量。

优选地，还包括：

开度控制元件根据接收到的第四控制指令控制所述多个通孔中至少一个通孔的开度。

优选地，还包括：

温度传感器检测所述待加热基板上表面和/或下表面的温度，以进行显示。

优选地，还包括：

反馈元件根据所述待加热基板上表面和/或下表面的温度，向所述至少一个升降杆，和/或所述流量控制元件，和/或所述开度控制元件传输信号，以调节所述待加热基板的受热参数。

优选地，还包括：

气体循环元件根据接收到的第五指令将对所述待加热基板加热后的气体传输至储气元件；

连接至所述传输管的所述储气元件存储气体，将存储的气体导入所述传输管。

优选地，还包括：

设置于所述传输管出口的缓冲元件，根据接收到的第六指令降低从所述传输管进入所述扩散层的气体的速度。