[发明专利]一种功率MOSFET在审
| 申请号： | 201510115551.7 | 申请日： | 2015-03-17 |
| 公开（公告）号： | CN104733535A | 公开（公告）日： | 2015-06-24 |
| 发明（设计）人： | 孙博韬;王立新;张彦飞 | 申请（专利权）人： | 北京中科新微特科技开发股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L29/41;H01L29/06 |
| 代理公司： | 北京名华博信知识产权代理有限公司 11453 | 代理人： | 苗源 |
| 地址： | 100029 北京市朝阳区*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 功率 mosfet | ||
1.一种功率MOSFET，其特征在于，所述功率MOSFET包括：
衬底(101)；
外延层(102)，所述外延层(102)覆盖所述衬底(101)；
源掺杂区(104)，所述源掺杂区(104)位于所述外延层(102)内；
阱区(103)，所述阱区(103)位于所述外延层(102)内且位于所述源掺杂区(104)下方；
多晶源极(112)，所述多晶源极(112)被所述外延层(102)包围且位于芯片表面下方；
多个浮空电极(115)，所述浮空电极(115)被所述外延层(102)包围且位于所述多晶源极(112)下方；
电容介质层(108)，所述电容介质层(108)位于所述浮空电极(115)之间，所述浮空电极(115)与所述多晶源极(112)之间，以及位于最下方的所述浮空电极(115)与所述外延层(102)之间；以及
侧壁介质层(106)，所述侧壁介质层(106)位于所述外延层(102)与所述多晶源极(112)之间，以及所述外延层(102)与所述浮空电极(115)之间。
2.如权利要求1所述的功率MOSFET，其特征在于，所述浮空电极(115)的长度为0.5um～8um，宽度为0.5um～2um。
3.如权利要求1所述的功率MOSFET，其特征在于，所述浮空电极(115)的个数是1-20。
4.如权利要求1所述的功率MOSFET，其特征在于，多个所述浮空电极(115)的长度相同。
5.如权利要求1所述的功率MOSFET，其特征在于，所述电容介质层(108)的厚度是10nm～500nm，且所述电容介质层(108)的材料是SiO2或Si3N4。
6.如权利要求1所述的功率MOSFET，其特征在于，所述侧壁介质层(106)的厚度是100nm～800nm，且所述侧壁介质层(106)的材料是SiO2或Si3N4。
7.如权利要求1所述的功率MOSFET，其特征在于，所述功率MOSFET还包括：
穿过所述源掺杂区(104)，并深入所述阱区(103)内部的源接触孔(109)；
被所述外延层(102)包围，位于所述芯片表面下方、所述多晶源极(112)上方的多晶栅极(113)；
位于所述外延层(102)与所述多晶栅极(113)之间的栅氧化层(105)；
位于所述多晶栅极(113)与所述多晶源极(112)之间的隔离介质层(107)；
位于所述多晶栅极(113)及所述源掺杂区(104)上方的表面氧化层(110)；
位于所述芯片表面的金属源电极(111)；以及
位于所述衬底(101)下面的金属漏电极(114)。
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