[发明专利]OLED基板及制备方法、OLED面板及显示装置在审
| 申请号： | 201510119584.9 | 申请日： | 2015-03-18 |
| 公开（公告）号： | CN104733504A | 公开（公告）日： | 2015-06-24 |
| 发明（设计）人： | 敖宁;白妮妮;张朝波 | 申请（专利权）人： | 京东方科技集团股份有限公司;鄂尔多斯市源盛光电有限责任公司 |
| 主分类号： | H01L27/32 | 分类号： | H01L27/32;H01L51/56;H01L51/52;H01L51/50 |
| 代理公司： | 北京天昊联合知识产权代理有限公司 11112 | 代理人： | 柴亮;张天舒 |
| 地址： | 100015 *** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | oled 制备 方法 面板 显示装置 | ||
1.一种OLED基板，所述OLED基板的边缘形成有层间绝缘层，其特征在于，所述层间绝缘层的表面上形成有凹坑。
2.根据权利要求1所述的OLED基板，其特征在于，所述层间绝缘层包括至少一层绝缘材料。
3.根据权利要求1或2所述的OLED基板，其特征在于，所述凹坑的深度不大于所述层间绝缘层厚度的20％。
4.根据权利要求1所述的OLED基板，其特征在于，所述凹坑的数量为多个，且相邻凹坑的边缘相接在一起。
5.根据权利要求1所述的OLED基板，其特征在于，所述凹坑的数量为多个，且所述多个凹坑在所述层间绝缘层表面均匀分布。
6.根据权利要求1所述的OLED基板，其特征在于，所述层间绝缘层与显示区域的栅极层上方的绝缘层同层形成。
7.根据权利要求6所述的OLED基板，其特征在于，所述OLED基板边缘还包括有源层、栅绝缘层或栅极层中的至少一种，其形成在所述层间绝缘层的下方。
8.权利要求1～7任意一项所述的OLED基板的制备方法，其特征在于，包括：
提供一基板；
在所述基板边缘上形成至少一层绝缘材料层；
在所形成的最上一层绝缘材料层的表面制备凹坑，形成层间绝缘层。
9.根据权利要求8所述的OLED基板的制备方法，其特征在于，在形成所述凹坑之前，所述绝缘材料层与显示区域的栅极层上方的绝缘层同层形成。
10.根据权利要求9所述的OLED基板的制备方法，其特征在于，所述凹坑通过光刻工艺形成。
11.根据权利要求8所述的OLED基板的制备方法，其特征在于，在形成显示区域的栅极层上方的绝缘层时，利用半曝光工艺，同时形成表面有凹坑的层间绝缘层。
12.根据权利要求10所述的OLED基板的制备方法，其特征在于，所述光刻工艺的刻蚀深度不大于所有绝缘材料层厚度之和的20％。
13.根据权利要求8所述的OLED基板的制备方法，其特征在于，在所述层间绝缘层下方形成有源层、栅绝缘层或栅极层中的至少一种。
14.一种OLED面板，其特征在于，包括权利要求1～7中任意一项所述的OLED基板。
15.根据权利要求14所述的OLED面板，其特征在于，还包括封装基板，所述封装基板边缘形成有玻璃胶，所述层间绝缘层具有凹坑的表面与所述玻璃胶贴合在一起。
16.一种OLED显示装置，其特征在于，包括权利要求14或15所述的OLED面板。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
